近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7）IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他领先解决方案更低的整体系统成本。
这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调（HVAC）系统、伺服电机、机器人、变频驱动器（VFD）以及工业泵和风机等应用中的电子换向（EC）风机。
EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美IGBT SPM 31 IPM 产品组合（涵盖15A至35A的低电流）形成互补，提供从40A到70A的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界领先的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。（集邦化合物半导体整理）
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