2025开年，碳化硅产业仍然热闹，众多亿元级别的项目在各地纷纷取得重大进展。
项目投资规模涵盖范围广，建设内容丰富多样，应用领域主要集中在半导体及相关产业，从材料生产到设备制造，再到全产业园区的建设，碳化硅产业正在形成一条具有高效协同效应的产业链。
这些项目的推进反映出碳化硅产业正处于蓬勃发展的阶段，产业上下游协同发展趋势明显。
各地碳化硅产业链加速布局，7大项目传新动态
根据表格，上述项目涵盖了从碳化硅相关材料（如涂层材料、石墨制品等）生产，到设备制造、产业园建设等多个方面。
不同项目根据自身定位和市场需求，规划了相应的产能，如正望新材料规划了大规模的石墨制品产能，以满足金属冶炼、半导体等行业需求。从投资规模上来看，各项目投资金额差异较大，从8000万元到150亿元不等。
六方科技SiC/TaC涂层材料项目奠基：
1月18日，六方科技在浙江绍兴举行了集成电路先进制程精密零部件新材料项目奠基仪式。该项目专注于碳化硅（SiC）涂层及碳化钽（TaC）涂层材料的研发与生产，涵盖了半导体芯片外延托盘及其他碳化硅涂层产品的生产
。六方科技计划通过投资8000万元，逐步形成三马厂区年产3000套SiC涂层石墨托盘的生产能力。这个项目的进展不仅是碳化硅产业的一个缩影，也进一步推动了国内半导体材料的自给自足进程。
正望新材料等静压石墨制品制造项目开工：
四川内江2025年第一季度重大项目已于2025年1月13日集中开工。其中，涉及到的青岛正望新能源等静压石墨制品制造项目，于2024年2月签约，总投资约10亿元，计划新建4条新能源等静压石墨制品生产线，形成年生产2.5万吨石墨坩埚、0.5万吨碳化硅石墨坩埚、2万吨大规模石墨电极和1万吨特种石墨新材料的规模。
项目产品主要用于金属材料熔融冶炼、正负极材料碳化烧结，以及光伏半导体散热。该项目预计在2025年7月全面竣工，届时将极大提升国内相关产业的供应能力。
博来纳润CMP材料项目封顶：
1月15日，博来纳润宣布其年产18000吨纳米氧化硅、34000吨半导体CMP抛光液项目已完成第一阶段封顶。项目位于浙江衢州智造新城高新片区，涵盖了大硅片、碳化硅晶圆等半导体制造的关键制程材料。随着半导体行业的不断扩张，博来纳润的CMP材料产品将为集成电路的制造提供强有力的技术支撑。
河南新密碳化硅产业园：
在上述图表中，该项目投资规模最大，该项目投资资金为150亿元，规划用地面积约410亩，总建筑面积约50万平方米，项目主要聚焦第三代半导体材料碳化硅和基于碳化硅材料的功率芯片，构建从纯化多晶硅、晶锭制造、衬底片制造、晶圆片制造到功率芯片设计、生产、先进封装测试的全产业链，主要建设办公楼、研发楼、动力厂房、生产厂房、仓库等建筑及配套设施。
华海精科SiC设备项目投产：
1月15日，华海精科的高端半导体设备研发及产业化项目在北京正式启用。该项目位于北京亦庄新城，总建筑面积为7万多平方米，用于开展高端半导体装备研发及产业化，启用后将进一步推动更多的湿法、减薄、化学机械抛光等先进半导体装备在此诞生，整体生产经营规模与技术研发实力都将进一步提升。
湃芯半导体SiC项目落地江苏：
1月14日，江苏连云港迎来了湃芯半导体设备研发生产项目的签约。该项目计划投资3亿元，专注于第三代半导体设备的生产，预计年产值将达到1亿元。湃芯的核心产品包括IGBT贴片机、SiC贴片机等，涵盖了SiC激光退火及先进封装设备等领域。
湖北云在上半导体SiC项目启动：
2025年一季度襄阳市重大项目集中开工，其中包括湖北云在上半导体电子专用材料产业基地项目。该项目占地面积为100亩，计划投资5亿元，将建设5条碳化硅生产线，打造集原材料加工、核心零部件制造为一体的半导体产业链聚集地，全部建成达产后，可实现年产值约8.5亿元。
上述项目在2025年初密集取得进展，表明碳化硅产业正处于快速发展阶段。越来越多的企业和资本看好该领域的发展前景，纷纷加大投入，推动项目建设。从材料生产到设备制造，再到产业园构建全产业链，碳化硅产业呈现出逐步完善和协同发展的趋势。
碳化硅产业风口正盛，未来可期
碳化硅凭借其独特的电子性能，具备较大的禁带宽度、较高的电子饱和漂移速度以及出色的热导率特性，成为未来科技发展的核心材料之一。
在新能源汽车领域，SiC 能够显著提升功率转换效率和系统可靠性，因而成为电动汽车电力电子系统的理想选择。在 5G 通信和智能电网领域，SiC 材料同样具有优异的高频响应和高温稳定性，有力推动了高效能源管理和更快速的数据传输。
从相关项目的投资规模、建设进度以及所涉及的产业链环节综合分析，碳化硅产业正处于迅猛发展的阶段。业内人士普遍认为，随着新能源汽车、5G、智能电网等产业的蓬勃发展，碳化硅作为第三代半导体材料的核心地位将愈发凸显。
尽管全球电动汽车市场增速有所放缓，但在高效能需求的驱动下，SiC 在多个关键应用领域的渗透速度依然在加快。据 TrendForce 集邦咨询研究指出，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估 2028 年全球 SiC Power Device 市场规模有望达到 91.7 亿美金（约 648 亿元人民币） 。
然而，在全球半导体产业竞争日益激烈的当下，尽管碳化硅作为 “第三代半导体” 的代表，已逐步成为新的产业风口，但碳化硅产业在发展进程中仍面临诸多挑战。
一方面，碳化硅材料的生产成本问题，极大地限制了其大规模应用。当前，碳化硅晶体生长技术仍有待进一步突破，从而提高生产效率并降低成本。
另一方面，碳化硅器件的制造工艺尚不够成熟，亟待持续优化与改进。此外，产业链上下游的协同合作也需要进一步深化，以此实现资源的高效配置与产业的可持续发展。
近年来，全球各国纷纷加大对碳化硅产业的研发与投资力度，全力推动技术创新与产业升级。我国亦将碳化硅产业列为战略性新兴产业予以重点扶持，各地相继出台优惠政策，吸引企业投资建设碳化硅项目。
目前，中国已逐步形成以浙江、江苏、四川等省市为核心的碳化硅产业集群。众多碳化硅相关项目的落地，标志着国内产业链正日趋完善。随着技术的不断进步以及投资的持续注入，国内企业在全球 SiC 市场中的竞争力将进一步增强。
业界预计未来，国内碳化硅产业将在技术创新方面取得更多突破，并开拓更为广阔的市场空间，在全球半导体产业格局中占据更为重要的地位。（集邦化合物半导体 南禾）
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