12月17日，碳化硅（SiC）晶圆代工厂商X-fab推出了新一代XbloX平台XSICM03。该平台可推进SiC工艺技术在功率MOSFET的应用，并显著降低单元间距，从而在不影响可靠性的前提下增加了每片晶圆芯片数量并改善导通电阻。
source：X-fab
X-fab介绍，XbloX整合了经过验证的SiC工艺开发模块和平面MOSFET生产的模块，简化了入门流程，并显著降低了设计风险和产品开发时间。
通过将经过验证的工艺模块与强大的设计规则、控制计划和失效模式及影响分析（FMEA）相结合，XbloX实现了更快的原型制作、更简便的设计评估和更短的市场上市时间。该平台为客户提供了竞争优势，允许设计师创建多样化的产品组合，同时比传统开发方法提前多达九个月实现生产。
新一代平台在保持稳健的工艺控制以及漏电和击穿性能的同时，减小了活动区域设计单元尺寸。XSICM03平台凭借稳健的设计规则，允许客户创建单元间距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。
这一改进使得每片晶圆的芯片数量比上一代增多30%。利用经过验证的工艺模块，平台确保了栅氧可靠性和器件稳健性。丰富的PCM库和增强的设计支持使得客户能够快速流片，从而加速产品开发。
X-fab Texas的首席执行官Rico Tillner评论道：“通过其简化的方法，我们的下一代工艺平台满足了汽车、工业和能源应用中对高性能SiC器件日益增长的需求。公司通过加速原型制作和设计评估，使现有和新客户能够创建应用优化的产品组合，显著缩短上市时间。（集邦化合物半导体Morty编译）
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