57.6万片/年,士兰微碳化硅芯片扩产项目完成验收

作者 | 发布日期 2024 年 11 月 27 日 15:03 | 分类 功率

11月21日,相关环保网披露了文件显示,厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(下文简称“士兰明镓”)碳化硅(SiC)功率器件生产线建设项目已验收。

根据相关环保网文件显示,该项目依托现有厂房,新增一条SiC产线,主要生产SiC功率芯片产品。

士兰明镓

项目新增SiC产能规模为MOSFET芯片28.8万片/年、SBD芯片28.8万片/年,同时减少GaN外延的蓝绿光LED芯片57.6万片/年(其外延产能不变,多余外延片外售)、总共为芯片产能672万片(等效2吋)。

据了解,该项目为士兰明镓二期项目。

士兰明镓

source:士兰明镓

2017年12月18日,士兰微与厦门半导体投资集团在厦门签署了投资合作协议,双方合作在厦门市海沧区建设一条4/6吋兼容的化合物半导体生产线,总投资50亿元,其中一期总投资20亿元,二期总投资30亿元。项目由双方参股公司士兰明镓负责建设。

截至2021年底,士兰明镓已完成第一期20亿元的投资,形成了每月7.2万片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的产能。

2022年7月,士兰微发布公告称,子公司士兰明镓启动化合物半导体第二期建设,即实施”SiC功率器件生产线建设项目”。士兰明镓拟建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线,项目总投资为15亿元,建设周期3年,最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能(主要产品为SiC MOSFET、SiC SBD)。

值得一提的是,同在厦门市沧海区,士兰微还布局了8英寸碳化硅产线。2024年5月21日,厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与杭州士兰微电子股份有限公司在厦门共同签署了《战略合作框架协议》。

按照协议约定,各方合作在厦门市海沧区建设一条以SiC MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。source:士兰微该项目分两期建设,项目一期投资规模70亿元,二期投资规模约50亿元,两期建设完成后,将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。

项目于今年6月18日开工,一期预计将于2025年三季度末初步通线,四季度试生产。(集邦化合物半导体Morty整理)

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