据外媒报道，11月11日，印度国防研究与发展组织（DRDO）下属的固体物理实验室已成功开发出本土一种工艺，可以生长和制造直径为4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他们还已制造出功率高达150W的氮化镓（GaN）HEMT以及功率为40W的单片微波集成电路（MMIC），这些器件能够在最高X波段频率的应用中发挥作用。
印度国防部表示，SiC/GaN技术是国防、航空航天和清洁能源领域下一代应用的关键推动因素。这类先进技术可提高器件效率、减小尺寸和重量，并增强性能，使其在未来作战系统、雷达、电子战系统和绿色能源解决方案发挥重要作用。
随着未来作战系统对更轻、更紧凑电源的需求不断增长，碳化硅/氮化镓技术为军事和商业领域的通信、情报、侦察和无人系统(包括电动汽车和可再生能源)提供了重要基础。报道还指出，位于海得拉巴邦的SiC/GaN技术中心，可通过本土技术初步生产碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）MMIC，可满足新一代太空、航空航天和 5G/卫星通信的广泛应用。
印度多个SiC/GaN项目加速推进
据集邦化合物半导体了解到，今年印度多个SiC/GaN项目有新进展，具体如下：
今年6月中旬，总部位于印度钦奈的SiCSem宣布，计划在印度奥里萨邦建立一座涵盖碳化硅（SiC）制造、组装、测试和封装（ATMP）工厂。
与此同时，SiCSem与印度理工学院布巴内斯瓦尔分校（IIT-BBS）就化合物半导体领域研究事宜签署了合作协议。根据协议，双方之间首个项目是在IIT-BBS实现SiC晶体生长的本土化。这一项目专注于6英寸和8英寸SiC晶圆的大批量生产，预估耗资4.5亿卢比。
8月5日，印度首家半导体芯片制造商Polymatech正式收购了美国公司Nisene。据悉，Nisene在Si和SiC材料方面的拥有专业知识，结合Polymatech的蓝宝石基半导体技术，将帮助后者成为一家多晶圆公司。
8月中旬，L & T Semiconductor Technologies（LTSCT）计划投资100亿~120亿美元，在未来5到10年内在印度建立三个半导体制造工厂，分别专注于硅、SiC和GaN技术。
9月4日，美国Silicon Power Group在印子公司RIR Power Electronics Limited宣布，公司投资62亿卢比在印度奥里萨邦建设的SiC制造工厂已奠基动工。该工厂将用于生产6英寸SiC晶圆，预计2025年全面投产。
9月20日，印度Zoho集团宣布，计划在印度奥里萨邦Khurda区投资303.4亿卢比建设一座SiC制造工厂。该工厂的设计将覆盖整个SiC生产链，从晶锭制造到晶圆、MOSFET、模块，再到后续的改装和封装。工厂年产能预计包括7.2万片SiC外延晶圆、7.2万个MOSFET和模块，产品将应用于电动汽车、汽车及可再生能源领域。
9月22日，印度总理莫迪宣布，美印两国将共同在印度建立一家芯片制造厂。该工厂将专注于为国家安全、下一代电信和绿色能源应用提供先进的感应、通信和电力电子技术，生产红外、GaN和SiC芯片。据悉，印度半导体任务以及巴拉特半导体公司、3rdiTech公司和美国太空部队的战略技术合作将为其提供支持。
11月，印度GaN初创公司Agnit已经完成350万美元的种子轮融资。
该笔资金将用于提升4英寸GaN-on-SiC外延片的生产质量，满足射频器件的需求，同时提高6英寸GaN-on-Silicon晶圆的生产能力，以应对功率器件市场需求。资金还将用于增强器件的可靠性，符合市场的多种标准。此外，这笔投资还将支持原型开发，尤其是面向印度本土市场的功率器件和电信领域的射频器件。
结语
近年来，随着以SiC、GaN为代表的第三代半导体发展迅猛，促使一些国家开始重视该产业的发展。印度今年多个三代半项目落地，可以从侧面反映其在推动本土技术和产业发展方面的决心。（集邦化合物半导体Morty整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。