11月12日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。
source：天科合达
据集邦化合物半导体此前报道，二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地；项目总占地面积52790.032m2，总建筑面积105913.29m2，包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。
公司拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。
项目用于扩大公司碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。
天科合达指出，该扩产项目旨在打造行业内领先的智能化生产线，量产8英寸碳化硅衬底。该项目全面投产后，公司的产能将得到显著提升，进一步巩固其在碳化硅衬底市场的领先地位。（集邦化合物半导体整理）
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