11月4日，美国半导体企业MACOM宣布，将引领一个碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）技术开发项目，主要针对于射频（RF）和微波应用领域。
项目专注于开发氮化镓基材料和单片微波集成电路（MMIC）的半导体制造工艺，以实现在高压和毫米波（mmW）频率下的高效运行。
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MACOM将携手北卡罗来纳州立大学、Adroit Materials和海军研究实验室（NRL）等宽带隙半导体商业飞跃（CLAWS）微电子共享中心的成员共同推进该项目。美国国防部通过《芯片与科学法案》对其提供资金，项目首年的资助金额为340万美元。
MACOM强调，该项目进一步扩展了公司与美国国防部在氮化镓技术开发领域的合作。其中包括2021年与美国空军研究实验室（AFRL）签订的合作研究与发展协议（CRADA），在该合作中，MACOM成功将AFRL的0.14μm碳化硅基氮化镓MMIC工艺转移到其位于马萨诸塞州的美国可信铸造厂。
进入2023年，MACOM获得了一份价值400万美元的AFRL合同以及来自国防高级研究计划局（DARPA）的1010万美元拨款。合同资金将用于开发毫米波应用的氮化镓技术，而拨款则旨在改善高功率应用的散热问题。
今年初，MACOM还获得了一份由《芯片和科学法案》资助的氮化镓技术开发合同，金额高达1140万美元。集邦化合物半导体Morty编译
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