10月30日，长飞先进武汉基地相关负责人对外介绍，长飞先进武汉碳化硅基地11月设备即将进驻厂房，明年年初开始调试，预计2025年5月可以量产通线，随后将开启良率提升和产能爬坡。
source:光谷融媒体中心
据悉，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。
项目投产后可年产36万片SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光储充等领域。
该项目于2023年8月25日落户武汉，并于7天后动工建设。今年6月，项目主体结构全面封顶。
按照原计划，项目将于2025年1月设备搬入，2025年7月量产通线，2026年年底达到满产。截止目前项目最新动态显示，项目提前了2个月的进度。
值得一提的是，长飞先进武汉碳化硅基地加速建设的同时，其在芜湖的第三代半导体项目也迎来了新进展。
10月29日，据芜湖市生态局披露的建设项目环评审批公告显示，安徽长飞先进将对其位于芜湖市弋江区的第三代半导体项目进行改造，具体内容为：
对现有研发方案中6万片/年的6英寸碳化硅半导体芯片和1.2万片/年的4、6英寸氮化镓半导体芯片进行研发工艺的改进，提高研发产品的质量，优化研发产品的结构，研发产能保持不变。
据悉，该项目由长飞先进全资子公司芜湖太赫兹工程中心有限公司负责。项目于2017年6月动工建设，2021年完成自主验收，公司后续在2022年对项目进行了扩产。（来源：湖北日报、集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。