在当今快速发展的科技时代，半导体材料的创新和应用正成为推动全球电子产业发展的关键力量。在第三代半导体材料领域，氮化镓（GaN）因其卓越的电子特性和广泛的应用前景，正受到业界的关注。近期，山东省的济南和临沂两地，在氮化镓衬底方面取得了新进展。
济南：新增一个氮化镓项目
据济南日报消息，10月17日下午，在济南市半导体、空天信息产业高价值技术成果本市转化对接会上，山东晶镓半导体有限公司（下文简称“晶镓半导体”）与济南晶谷研究院签约，入驻新一代半导体公共服务平台项目。
source：济南晶谷研究院
据悉，晶镓半导体将依托山东大学晶体材料国家重点实验室、新一代半导体材料研究院研发的最新GaN单晶生长与衬底加工技术成果，开展第三代半导体材料氮化镓(GaN)单晶衬底的研发、生产和销售。
资料显示，济南晶谷研究院是济南市政府联合山东大学发起成立的新型研发机构，旨在面向国家所需和产业前沿，集科研、教育、企事业等功能于一身。该机构总投入10亿元，于2023年7月正式揭牌。
据悉，济南晶谷研究院成立以来，先后引进2家产业链企业，分别为中晶芯源、晶启光电，孵化2家小微企业，分别为山东晶镓半导体和山东一芯智能科技，并成立研究院全资子公司济南晶谷科技有限公司。
临沂：加快氮化镓新材料项目建设
据中交雄安建设有限公司官微披露，近日，山东临沂市委书记任刚到高新厂房项目调研，视察了一个氮化镓新材料项目。
资料显示，该项目总投资5亿，占地304亩，主要建设厂房（含超净间）、行政中心、技术研发中心等，新上50条HVRE单晶生产线、晶片检测线，10条晶片切割加工生产线，10条研磨、清洗封装工艺设备生产线，10套外延片加工MOCVD设备生产线，10条图形衬底制备生产线及配套设施。项目于今年6月开工，预计2025年12月完工。
项目建成后与北京化工大学博士团队合作，引进具有独立产权的生产技术和设备，生产的2英寸、4英寸氮化镓单晶衬底，广泛应用于芯片制造、通讯基站、相控雷达等领域，建成后将实现全市第三代半导体材料的新突破。（集邦化合物半导体Morty整理）
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