9月10号晚，长飞先进宣布，公司武汉基地主体楼已全面封顶。
source：长飞先进
据悉，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。
日前，长飞先进的晶圆厂、封测厂、外延厂、宿舍楼与综合楼已实现封顶。
据介绍，10月开始，长飞先进武汉基地将迎来首批设备搬入，并于2025年6月实现量产通线。项目投产后可年产36万片SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光储充等领域。
长飞先进专注于SiC功率半导体产品研发及制造，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。
目前，长飞先进产品覆盖650V-3300V全电压平台的SiC MOSFET和SBD，应用于车载主驱、车载OBC、光伏逆变器、充电桩逆变器、工业电源等全场景。长飞先进目前晶圆代工产品超过50款，自营产品超过20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET产品已经开始导入市场，面向车载主驱逆变器应用场景。（来源：集邦化合物半导体整理）
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