8月14日，据外媒报道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）计划投资100亿~120亿美元，在未来5到10年内在印度建立三个半导体制造工厂，分别专注于硅、碳化硅和氮化镓技术。
LTSCT为L&T的全资子公司，是一家无晶圆厂公司。公司业务涵盖MEMS传感器、功率、模拟混合信号和射频产品，以支持汽车、工业、能源和电信领域。
公司首席执行官Sandeep Kumar表示，LTSCT从类似高通或联发科的系统级芯片（SoC）设计公司向芯片制造实体的转型，将建立在公司实现10亿美元营收目标的基础之上。LTSCT预估这一营收目标将在未来2~3年内实现，届时将着手建设晶圆厂。
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Kumar进一步解释道，该公司涉足各种技术，包括高端硅芯片以及中低端碳化硅和氮化镓芯片。因此，随着时间的推移，公司计划建立三个不同的晶圆厂，每个晶圆厂都需要不同程度的投资。资金分配方面，LTSCT对硅的投资或将超过100亿美元，对碳化硅的投资额在10亿美元以上，对氮化镓的投资额则在5亿美元左右。
“在硅材料方面，所有合作伙伴的细节都已就绪。在氮化镓方面，已经完成了一半工作，而碳化硅方面，在未来三个月内，公司将确定与谁合作。”Kumar补充道。
据悉，LTSCT的碳化硅芯片由两家日本合作伙伴生产，而基于氮化镓的射频和功率器件芯片将由格芯和中国台湾的世界先进生产。（集邦化合物半导体Rick编译）
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