据日媒报道，8月1日，碳和石墨产品综合制造商东海碳素（Tokai Carbon）拟投资54亿日元（折合人民币约为2.7亿元）在日本神奈川县茅崎市建立一条多晶SiC晶圆专线，并预计将于2024年12月完成建设。
东海炭素开发的用于功率半导体的SiC晶圆，被称为“层压SiC晶圆”。层压SiC晶圆是通过将带有预刻槽的单晶SiC晶圆与多晶SiC晶圆键合，然后加热剥离刻槽部分，在作为衬底的多晶SiC晶圆上形成单晶SiC薄膜而制成的。由于单晶SiC层是薄膜，单晶SiC晶圆可重复使用10次以上，一张单晶SiC晶圆可生产10张以上的键合晶圆。
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多晶SiC的优点是电阻值约为单晶SiC的1/5~1/4，可以进一步降低功率损耗。与仅使用单晶SiC的晶圆相比，通过使用层压SiC晶圆，可以提高SiC功率半导体的性能，并且可以使系统本身更小、更轻，并且可以提高EV的行驶里程。
此前报道，今年5月，东海炭素与法国半导体材料制造商Soitec就多晶SiC晶圆达成合作，公司将在中长期内为Soitec供应6英寸和8英寸多晶SiC晶圆。
除了在日本茅崎市基地设立多晶SiC专线外，东海炭素还计划在其位于韩国京畿道安城市的现有工厂生产多晶SiC。 （文：集邦化合物半导体Morty整理）
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