据三安半导体官微消息，7月24日，三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式。这标志着三安碳化硅（SiC）项目二期通线在即，将为全面加速8英寸SiC产业布局，实现产线正式投产奠定良好基础。
source：三安半导体
据介绍，湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6英寸SiC晶圆、48万片8英寸SiC晶圆的制造能力。
M6B作为湖南三安布局SiC产业的重要一环，其投产情况备受关注。预计到今年12月，M6B将实现点亮通线，8英寸SiC芯片将正式投产，湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整合制造商。
值得一提的是，除了湖南，重庆三安半导体SiC衬底工厂也于近日完成了主设备的入场，这表示重庆三安衬底工厂的通线一同步入了倒计时阶段。
source：西永微电园
据重庆三安基建负责人透露，项目主厂房已于去年12月完成结构封顶，今年5月完成外墙装饰，6月完成室外道路接驳，目前整体建设进度已完成95%以上，正处于设备进场安装调试的关键阶段，预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。
资料显示，重庆三安意法SiC项目总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8英寸SiC衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8英寸SiC衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币。
随着湖南与重庆两地工厂的设备搬入完成，后续待两地正式通线之后，三安半导体不仅将正式转型为8英寸SiC垂直制造整合商，其SiC产能也有望实现大幅提升，企业市场竞争力将进一步增强。（集邦化合物半导体Rick整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。