7月22日,韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布,公司已开发出可应用于高速开关的氧化镓(Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)。
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source:Siegtronics
据悉,氧化镓是一种宽带隙(WBG)材料,与碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)相比,具有更宽带隙和更高的临界击穿场强。它克服了现有产品的缺点——低击穿电压(VB)和高漏电流(IL),实现了差异化的高压、大电流、耐高温、高效率应用,在电动汽车的电源转换器、电驱和逆变器等领域应用备受关注。
氧化镓普遍被业界认为是“第四代半导体”材料,目前以美国、中国、日本为代表的相关企业和机构正对其开展研发工作。
但与其他宽带隙材料相比,相关研发(R&D)程度较低,尚未达到全面商业化阶段。因此,全球许多半导体相关机构和公司都在努力抢占氧化镓市场。
Siegtronics表示,公司通过“开发具有低缺陷特性的高级氧化镓外延材料和击穿电压为1kV或更高的功率器件技术”项目,成功研制出了韩国首个1200V级氧化镓SBD。
需要注意的是,氧化镓通过最大限度地降低半导体器件的漏电流和导通电阻,不仅有望应用于普通家电和IT设备的逆变器和转换器,还有望应用于电动汽车充电模块、国防、航空航天领域,为实现器件功耗的小型化、微型化和轻量化做出贡献。(集邦化合物半导体Rick编译)
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