成本可降低10%,日本推碳化硅衬底新技术

作者 | 发布日期 2024 年 07 月 01 日 14:20 | 分类 功率

据日经中文网报道,日本中央硝子(Central Glass)开发出了用于功率半导体材料“碳化硅(SiC)”衬底的新制造技术。

据介绍,中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长(升华法)的传统技术相比,液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上,良率也会大幅度提升。

由于利用液相法制备SiC衬底较为复杂,此前该技术一直未应用在实际生产中。中央硝子运用基于计算机的计算化学,通过推算溶液的动态等,成功量产出了6英寸SiC衬底。在此基础上,公司打算最早于2030年把尺寸扩大到8英寸。

source:中央硝子

据了解,自2022年4月起,中央硝子就已经开始使用液相法研究和开发SiC晶圆。

今年4月,中央硝子宣布其“高质量8英寸SiC单晶/晶片制造技术开发”项目通过审查,被日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)的视为绿色创新基金项目(项目期限为2022财年至2029财年)。该项目后续将获得来自NEDO的资助,这一进展将有助于中央硝子加速8英寸SiC衬底的开发。

报道指出,为了让客户采用以新技术制作的SiC衬底,中央硝子已开始与欧美的大型半导体企业等展开商讨。中央硝子最早将于2024年夏天开始向客户提供样品,2027~2028年实现商业化。该公司将在日本国内的工厂实施数十亿日元规模的投资,争取将市场份额超过10%。(来源:日经中文网、集邦化合物半导体整理)

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