第三代半导体氮化镓（GaN）材料具有禁带宽度大、电子饱和速度及电子迁移率高、击穿场强高等特性，在功率与射频领域有广阔的应用前景。硅基氮化镓在具备上述优点的同时兼顾了可低成本、大规模生产的优点，是第三代半导体发展的重要方向。
据中电材料官微消息，近日，电科材料下属国盛公司研发的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片完成客户交付。
资料显示，国盛公司前身为中电科55所材料研究室外延组，一直致力于高性能半导体外延材料的研发和生产服务。公司主营硅基、碳化硅基外延片业务，产品广泛用于集成电路芯片和半导体分立器件。
2023年11月，国盛公司旗下南京外延材料产业基地项目正式投产。据悉，该项目一期投资19.3亿元，项目达产后，预估新增年收入25亿元，将形成8-12英寸硅外延片456万片/年，6-8英寸化合物外延片12.6万片/年的生产能力。
图片source:南京江宁技术开发区
2023年12月，国盛公司第一枚碳化硅外延产品诞生。
同月，国盛公司第一枚硅基氮化镓外延产品正式下线。
中电材料指出，自项目投产以来，大尺寸硅外延片、碳化硅外延片已先后实现客户交付，硅基氮化镓外延材料顺利下线，标志着国盛公司产品多元化布局初步完成。如今，国盛公司硅基氮化镓外延片成功交付顾客，进入产品试样验证阶段，为其未来发展奠定了基础。（集邦化合物半导体Morty整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。