4月9日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，在(010)衬底的研发生产方面再创新高。
source：镓仁半导体
据介绍，氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场强高、巴利加优值大等优点，使基于氧化镓的功率器件具有更大的工作电流、电压以及更小的导通电阻、器件尺寸和更高的转换效率，主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域具有广阔应用前景。此外，与目前火热的碳化硅相比，氧化镓的大硅片相对容易制造，有利于降低生产成本并提高产量，市场潜力大。
镓仁半导体指出，在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（010）衬底热导率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）衬底具有较快的外延生长速率；第三，基于（010）衬底制备的器件具有更优异的性能。
值得一提的是，此前，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。镓仁半导体也借此成为了国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。
如今镓仁半导体再次推出新产品——2英寸晶圆级(010)氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸(010)氧化镓单晶衬底的自主量产，对国内氧化镓相关产业摆脱国际垄断起正面作用。（集邦化合物半导体Morty整理）
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