4月6日，釜山市政府宣布投资400亿韩元（折合人民币约2.14亿元），在东南放射科学产业园区增建采用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等新一代材料的8英寸化合物功率半导体生产设施，该项目已获国家及市级基金资助。
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为构建生产下一代功率半导体的生态系统，釜山市政府还宣布计划于明年下半年，在釜山机张郡成立功率半导体技术研究所。
目前，位于釜山机张郡的功率半导体商业化中心拥有一座6英寸化合物功率半导体生产设施。届时，功率半导体技术研究所将接管该设施，同时安装和运营新的8英寸生产设施，支持入驻企业研发包括1700V高压器件在内的技术，并开展盈利业务。
此外，功率半导体商业化中心的约20家相关子公司（材料、元件、设备）公司计划投资1.1万亿韩元（折合人民币约58.5亿元），用以创建下一代功率半导体生态系统。（集邦化合物半导体Rick编译）
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