据韩媒ETnews报道，3月26日，半导体设计公司Power Cube Semi宣布，已在韩国首次成功开发出2300V碳化硅（SiC）MOSFET，并将于明年初量产。
source：Power Cube Semi
据介绍，Power Cube Semi称，2300V SiC MOSFET继承了现有1700V SiC MOSFET的开发和量产经验。
Power Cube Semi指出，2300V SiC MOSFET适用于需要高电压和低功率的应用，如输配电。公司正就输配电的逆变器订单事宜与韩国电力公司（KEPCO）进行商谈。
据了解，Power Cube Semi最初是一家无晶圆厂的半导体设计公司，专注于Si、SiC和氧化镓（Ga2O3）功率半导体的研发与商业化。这些产品广泛应用于服务器电源和车载充电器（OBC）等领域。
2021年，Power Cube Semi已经开始生产6英寸1200V SiC二极管。2022年，公司通过东部高科（DB Hitech）代工生产了650V Super Junction（SJ） MOSFET，并成功地将这些产品大量供应给了中国的一家全球性电动汽车公司。
Power Cube Semi首席执行官 Kang Tae-young 表示：“我们将尽一切努力将其应用于需要高电压和低功率的应用，而不是以简单的开发案例结束。”（集邦化合物半导体Rick编译）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。