近日，英飞凌和罗姆两大SiC龙头在产品端公布了新进展。
英飞凌推出Cool SiC MOSFET G2
3月5日，英飞凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术产品，CoolSiC MOSFET G2系列产品。
source：英飞凌
英飞凌表示，新一代CoolSiC MOSFET 650V和1200V产品与上一代相比，MOSFET的关键性能指标（例如存储能量和电荷）提高了20%，同时又不影响质量和可靠性水平。
CoolSiC MOSFET G2技术继续利用SiC的性能优势，实现更低的能量损耗，从而在功率转换过程中提高效率，这对于光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等各种功率半导体应用客户来说，将提供很大的优势。
与前几代产品相比，配备 CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站最多可减少10%的功率损耗，同时在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电容量。基于CoolSiC G2设备的牵引逆变器可进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低每瓦成本。
“大趋势需要新的、高效的方式来产生、传输和利用能源。凭借CoolSiC MOSFET G2，英飞凌将SiC性能提升到了一个新的水平。”英飞凌绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士说道，“新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化、紧凑、可靠且高效的系统，从而节省能源并减少现场安装的每瓦特的CO2排放量。”
罗姆GaN器件被台达电子采用
罗姆今（6）日宣布，旗下650V GaN器件（EcoGaN）被台达电子Innergie品牌的45W输出AC适配器（快速充电器）“C4 Duo”采用。
source：罗姆
据介绍，台达是基于IoT技术的绿色解决方案全球供应商。
罗姆指出，Innergie的AC适配器通过搭载可提高电源系统效率的罗姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”，提高了产品性能和可靠性的同时也实现了小型化。
罗姆表示，GaN的潜力很大，但处理起来却很难，目前罗姆正在推进注重“易用性”的产品开发并提供相关解决方案。在分立产品方面，罗姆已于2022年开始量产150V耐压的GaN HEMT，并于2023年开始量产实现业界超高性能（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）的650V耐压GaN HEMT。
集邦化合物半导体Morty整理
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