12月26日，随着中车株洲所一台新一代电驱产品C-Power 220s在株洲智谷工业园下线，中车新能源乘用车电驱累计量产突破100万台大关。
据悉，C-Power 220s于2021年首次发布，应用了碳化硅（SiC）技术，采用创新的电机和控制系统设计，系统效率最高可达94%，适应新能源汽车高频快充、长续航、高安全需求，目前已在多个项目上得到应用。
目前，中车株洲所正在大力布局SiC领域。12月4日，中车株洲所子公司株洲中车时代电气股份有限公司（以下简称中车时代电气）在投资者互动平台表示，公司SiC芯片生产线技术能力提升建设项目建成达产后，将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。项目预计年底可以完成。
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根据中车时代电气在去年4月12日发布的公告，中车时代电气控股子公司中车时代半导体拟投资46160万元人民币（最终投资金额以实际投资金额为准）实施上述SiC芯片生产线技术能力提升建设项目，通过本项目实施，形成面向新能源汽车、轨道交通方向的SiC芯片量产生产线。
中车时代电气在上述公告中称，公司SiC产品在地铁、新能源汽车等市场均已实现应用示范。而在今年7月，中车时代电气在互动平台表示，公司针对800V充电桩系统推出的SiC MOSFET芯片产品，正处于应用推广阶段。
近年来，SiC技术和相关产品已普遍应用于新能源汽车高端车型中。例如：11月9日，华为携手奇瑞发布智界S7，该车搭载了全新一代DriveONE 800V高压SiC黄金动力平台；12月23日，蔚来发布行政旗舰车型ET9，成为蔚来旗下又一款搭载SiC功率模块的车型，ET9采用蔚来自研自产的1200V SiC功率模块，以及面向900V的46105大圆柱电芯和电池包，单颗电芯能量密度高达292Wh/kg，充电效率达到5C；此外，理想即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET产品。（集邦化合物半导体Zac整理）
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