近日据报道，IDM创企易达通科技已推出多款氮化镓（GaN）功率IC，采用蓝宝石衬底及LED制程，获得全球三大LED集团青睐，其中2家已下单。执行长林仕国表示，GaN具有宽能隙、高电压驱动及耐高温特性，搭载蓝宝石衬底可制造各种功率元件，采用碳化硅（SiC）衬底则可制造射频元件。
据悉，易达通旗下有4英寸晶圆代工厂威力富，可以生产GaN-on-SiC 射频元件及GaN-on-Si和GaN-on-Sapphire功率元件。目前，易达通已完成射频元件设计并推出产品，将与相关企业合作。林仕国表示，用于军工雷达的X band PA，使用GaN-on-SiC制程，技术更先进，易达通也已完成设计进入生产阶段。林仕国分析，朝GaN转型是传统LED业的新蓝海，亿光就是转型成功的典范。
易达通在GaN电源应用的布局，首先切入Power Adapter，已推出65/140W产品，近期240/360W将上市。据林仕国介绍，在减碳趋势下，美国能源部规定2025年起能源转换效率不得低于90.2%，欧洲目前已要求供应商要达92%，易达通GaN功率元件能源转换效率已超越欧洲标准并接近93%。
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以GaN等为代表的第三代半导体，近年来在新能源汽车、光储充、5G通讯、激光雷达等应用领域大放异彩，市场需求持续增长。根据TrendForce集邦咨询《2023全球GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。
今年以来，GaN市场热度居高不下，各大厂商动作频频。3月2日，功率半导体龙头厂商英飞凌宣布拟以8.3亿美元（约60亿元人民币）收购加拿大GaN氮化镓芯片头部厂商GaN Systems。10月24日，这项交易正式完成，也意味着GaN Systems自此正式并入英飞凌，双方强强联手有利于更好的拓展市场。
此外，上个月，誉鸿锦半导体二期产业园项目厂房举行了主体结构封顶仪式，这标志着该公司GaN Super IDM全产业链的布局与建设取得重大进展。
该项目于2022年7月正式开工建设，主体结构提前1个月完成里程碑工期，二次结构已提前施工，首条批量线预计于2024年底前建成，月产能为6-7万片。项目全部建成投产后，每月产能将达到25万片，届时有望成为全球最大的GaN IDM工厂。（集邦化合物半导体Zac整理）
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