10月31日，中电化合物半导体有限公司（CECS）宣布成功向客户交付首批次8吋SiC外延片产品，这标志着中电化合物的外延产品迈上新台阶，可为行业提供更加先进的技术支持，从而推动碳化硅行业加速发展。
据中电化合物介绍，相比6吋，8吋SiC外延片面积增加78%，能够较大幅度降低碳化硅器件成本，进而推动碳化硅材料降本增效。技术指标方面，8吋SiC外延片可以实现厚度均匀性≤3%、掺杂浓度均匀性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm2。
资料显示，中电化合物成立于2019年11月1日，公司主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化镓外延材料的研究、开发、生产和销售，旗下产品可用于电动汽车、新能源、家用消费电子设备等众多领域。
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此前，中电化合物自主研发和生产的6吋碳化硅晶锭、衬底片和外延片已实现量产。今年，该公司在8吋碳化硅产品的研发和生产上无疑也取得了重大进展。
值得一提的是，2023年被业内人士称为“8吋SiC元年”，包括Wolfspeed、意法半导体在内的全球功率半导体巨头都已加快8吋SiC研发步伐。
国内方面，目前至少有10家公司正在推进8吋SiC衬底开发，包括山西烁科晶体（Semisic）、晶盛机电（JSJ）、山东天岳先进科技（SICC）、广州南砂晶圆半导体技术（Summit Crystal）、河北同光（Synlight）、北京天科合达半导体（TankeBlue）、哈尔滨科友半导体（KY Semiconductor）、杭州干晶半导体（IV-Semitec）等。
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