Power Integrations（PI） 近日发布了据称是世界上最高电压的单开关GaN电源 IC，采用1250V PowiGaN开关。
InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。据悉，它具有同步整流和FluxLin安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V Si 开关、1700V SiC 开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。
图片来源：PI电源芯片
相比于Si基器件，PI专有的1250V PowiGaN技术的开关损耗不到其1/3，功率变换的效率可以达到93%，有助于实现高紧凑度的反激式电源设计，且在高达85W输出功率的情况下无需散热片。
PI技术副总裁Radu Barsan表示：“PI不断将高压氮化镓技术的开发和商业应用推进至业界最高水平。这甚至淘汰了业界最好的高压Si MOSFET的使用。我们于2019年即率先向市场大批量出货了基于GaN的电源IC产品，并于今年早些时候推出了基于GaN的900V的InnoSwitch新品。我们持续开发更高电压的GaN技术，比如本次推出的1250V新品。我们致力于将GaN的效率优势扩展到更广泛的应用领域，包括目前使用SiC技术的应用领域。”
PI表示，设计人员可以放心地将新款InnoSwitch3-EP 1250V IC使用在1000V的峰值工作电压中，器件的绝对值可以满足80%的行业降额标准。该器件为工业应用提供了巨大的裕量，适用于具有挑战性的电网环境。（来源：PI电源芯片官微）
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