Power Integrations(PI) 近日发布了据称是世界上最高电压的单开关GaN电源 IC,采用1250V PowiGaN开关。
InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。据悉,它具有同步整流和FluxLin安全隔离反馈功能,并且提供丰富的开关选项,包括725V Si 开关、1700V SiC 开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。
![](https://img.cnledw.com/wp-content/uploads/2023/11/640-1024x538.jpg)
图片来源:PI电源芯片
相比于Si基器件,PI专有的1250V PowiGaN技术的开关损耗不到其1/3,功率变换的效率可以达到93%,有助于实现高紧凑度的反激式电源设计,且在高达85W输出功率的情况下无需散热片。
PI技术副总裁Radu Barsan表示:“PI不断将高压氮化镓技术的开发和商业应用推进至业界最高水平。这甚至淘汰了业界最好的高压Si MOSFET的使用。我们于2019年即率先向市场大批量出货了基于GaN的电源IC产品,并于今年早些时候推出了基于GaN的900V的InnoSwitch新品。我们持续开发更高电压的GaN技术,比如本次推出的1250V新品。我们致力于将GaN的效率优势扩展到更广泛的应用领域,包括目前使用SiC技术的应用领域。”
PI表示,设计人员可以放心地将新款InnoSwitch3-EP 1250V IC使用在1000V的峰值工作电压中,器件的绝对值可以满足80%的行业降额标准。该器件为工业应用提供了巨大的裕量,适用于具有挑战性的电网环境。(来源:PI电源芯片官微)
更多SiC和GaN的市场资讯,请关注微信公众账号:集邦化合物半导体。