10月24日，安森美（onsemi）宣布，其位于韩国富川的先进SiC 超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片 200 mm SiC晶圆。
新的 150 mm/200 mm SiC 先进生产线及高科技公用设施建筑于 2022 年中期开始建设，于 2023 年9月竣工。
富川SiC生产线目前主力生产 150 mm 晶圆开始，在 2025 年完成200 mm SiC工艺验证后，将转为生产 200 mm晶圆。
去年7月，安森美表示2025年前在韩国富川投资10亿美元（约67亿人民币）研发SiC功率半导体，并建造该工厂。
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今年7月之前，根据不完全统计，安森美已经累计签订不少于6项的长期供货协议，包括在6月份与纬湃科技（Vitesco）的19亿美元为期10年的SiC器件供货协议，与博格华纳（BorgWarner）至少10亿美元的长期供货协议，以及与8家光伏逆变器厂商的19.5亿美元长期供货协议。
面对供不应求的SiC市场，作为头部企业的安森美今年接订单接到手软。为了满足市场的需求，安森美的扩厂动作也在逐步跟上。
今年5月，安森美已经表示将投资 20 亿美元，用于扩展现有工厂，目标是到2027年占据全球汽车SiC芯片市场40%的份额。
如今富川的SiC工厂完工之后，能够帮助安森美缓解产能的压力，稳步推进公司营收。（文：集邦化合物半导体Morty整理）
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