近日,据天眼查信息,第三代半导体功率器件制造厂商安徽长飞先进半导体有限公司(以下简称“长飞先进”)发生工商变更,新增东风汽车旗下信之风(武汉)股权投资基金合伙企业(有限合伙)、安徽省皖能海通双碳产业并购投资基金合伙企业(有限合伙)等多位股东。同时,长飞先进的注册资本由约1.50亿元增至约2.92亿元。
资料显示,长飞先进成立于2018年,是一个专注于碳化硅(SiC)功率半导体产品研发及制造,拥有产线设备和先进的配套系统,具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力
长飞先进可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管。我们致力于提供高品质的服务,目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。
此前7月,长飞先进正式宣布完成超38亿元A轮股权融资,融资规模创国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最,并刷新2023年以来半导体私募股权融资市场单笔最大融资规模记录。
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图片来源:拍信网正版图库
长飞先进本次A轮融资新增投资方包括光谷金控、富浙、中平资本、中建材新材料产业基金、中金资本旗下基金(中金上汽、中金瑞为、中金知行、中金启合)、海通并购基金、国元金控集团旗下基金(国元股权、国元基金、国元创新)、鲁信创投、东风资产、建信信托、十月资本、华安嘉业、中互智云、宝樾启承、云岫资本等。
一代材料一代应用,SiC自身的材料特性决定了其在高压高功率领域具有独特优势,SiC功率器件相对Si基器件效率更高、尺寸更小,在新能源汽车、光伏、储能等领域快速渗透,有助于“双碳”目标的实现,也是高速成长的蓝海市场。
碳化硅作为第三代半导体的重要代表细分领域之一,未来在新能源汽车等行业具有广阔且高成长性的发展应用潜力。长飞先进称,将锚定公司战略持续加强产品研发、提升制造工艺、扩充产能规模、强化客户开发、优化人才团队,不断夯实行业领先地位。
同时,长飞先进当时表示,已启动位于“武汉·中国光谷”的第二基地建设,项目一期投资规模超60亿元,项目总投资预计超过200亿元。项目一期将于2025年建设完成,届时将成为国内碳化硅产能最大(年产36万片碳化硅晶圆)、封装产线齐全、以及包含外延生长和前沿创新中心的一体化新高地。
(文:全球半导体观察)
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