近日，无锡新洁能股份有限公司（下文简称“新洁能”）在互动平台表示目前已开发完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列产品，新开发650V SiC MOSFET工艺平台，用于新能源汽车OBC、光伏储能、工业及自动化等行业，相关产品已通过客户验证，并实现小规模销售；并已开发更多的第三代半导体芯片代工厂，相关产品已实现工程产出。
据悉，新洁能成立于2013年1月，注册资本为21300万元，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。公司是专业化垂直分工厂商，芯片由公司设计方案后交由芯片代工企业进行代工生产，封装成品由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。
根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处最新报告《2023 SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。
与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。
（文：集邦化合物半导体Morty整理）
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