根据外媒报道，三菱电机已经在其位于日本福山的工厂完成了第一条300mm晶圆产线的设备安装调试，样品生产和测试验证了生产线上加工的功率半导体芯片达到了所需的性能水平。
报道称，三菱电机计划于2025财年开始量产300mm 功率硅晶圆生产线。目标是到2026财年将其硅功率半导体晶圆的加工能力提升至2021财年的一倍
目前三菱电机最新的IGBT已经进入到了第七代，其推出的新型RC-IGBT芯片可以改善散热，以减少热阻,其损耗也比传统的RC-IGBT降低了50%左右。
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今年3月，三菱电机宣布，将在截至2026年3月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约2600亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅功率半导体的生产。
具体而言，三菱电机计划在2026年4月开始稼动位于日本熊本县菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圆的新工厂。此外，还计划对碳化硅6英寸晶圆工厂（位于日本熊本县合志市）进行扩产，到2026年，碳化硅产能预计会扩大至现在的5倍左右。三菱电机半导体大中国区总经理赤田智史透露，预计到2030年，三菱电机SiC功率模块营收占比将会提升到30%以上。
在新的领域，三菱电机也在加速布局。今年7月底，三菱电机宣布其已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology，今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓功率半导体，为实现低碳社会做出贡献。Novel Crystal Technology是世界上最早开发、制造和销售功率半导体用氧化镓晶圆的公司之一，拥有三菱电机制造氧化镓功率半导体产品所需的晶圆制造技术，是氧化镓晶圆领域的领军企业。（文：集邦化合物半导体 Jump整理）
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