近日，日本化工企业旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生产出了首款4英寸氮化铝（ALN）衬底，展示了公司生长氮化铝块状单晶工艺的可扩展性，以满足各类应用的生产需求。
Crystal IS
据了解，氮化铝衬底具有低缺陷密度、高紫外透明度和低杂质浓度的特点，并且由于其超宽带隙和较高的热导率，氮化铝在多个领域都具有较大的应用潜力，例如UVC LED和功率器件等。根据当前UVC LED产品要求，Crystal IS所生产的4英寸氮化铝衬底的可使用面积超过80％。
旭化成方面表示，本次子公司生产的4英寸氮化铝衬底，证明了氮化铝在除UVC LED之外的行业中，也具有商业应用的可行性。
资料显示，Crystal IS成立于1997年，致力于开发氮化铝衬底，其技术工艺可用于2英寸直径衬底中生产UVC LED。这些LED具有260-270nm波长，以及高可靠性和高性能特点，可满足水消毒、空气和表面消毒等应用。
Crystal IS表示，4英寸氮化铝衬底的成功生产，表明了公司氮化铝衬底工艺可扩展性，并能够提供高质量的氮化铝器件。
目前，Crystal IS每年生产数千个2英寸衬底，以满足其UVC LED产品系列Klaran和Optan的需求。本次4英寸氮化铝衬底的商业化，将使Crystal IS工厂现有设施的器件产能增加四倍，并将氮化铝衬底的新应用开发成为可能，氮化铝衬底将与公司现有使用替代材料的功率和射频器件的制造线相结合。
据悉，8月13日至18日，Crystal IS将在亚利桑那州图森举行的第23届美国晶体生长与外延会议上展示其4英寸衬底产品最新进展。
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