近日，九峰山实验室6英寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
实验室开发了低表面粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺，实现了低沟槽表面粗糙度刻蚀，打通了高厚度一致性及均一性、低界面态密度沟槽栅氧介质结构及工艺，制定并实施了低阻n型和p型欧姆接触的合金化技术方案，系统性地解决了一直困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET器件的多项工艺难题。
据悉，湖北九峰山实验室于2021年成立，实验室聚焦化合物半导体，主要涉及以下工艺领域：SiC、GaN、InP、GaAs、化合物相关MEMS、特种先进封装和多材料集成。（文：集邦化合物半导体 Amber整理）
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