晶圆代工厂BAE Systems获得3500万美元资助

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 13 日 17:42 | 分类企业

12月11日，美国商务部宣布为BAE Systems提供约3500万美元（折合人民币约2.5亿元）的初始资金，用于对新罕布什尔州纳舒厄的微电子中心 (MEC) 进行现代化改造。 MEC是一家占地110000平方英尺、经美国防部 (DoD) 认证的芯片制造工厂，是美国境内唯一以国防... [详内文]

英特尔展示GaN新技术

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 13 日 17:41 | 分类企业

在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。具有集成驱动器的 GaN 器件由 Cambridge GaN Devices、EPC 和 Navitas 以及英飞凌领导的欧洲重大研究项目开发。 Comp... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:46 | 分类企业

由于SiC MOSFET相对于传统的Si MOSFET有很多优势，因此被广泛应用于电动汽车、光储充、轨道交通等领域，发展潜力较大，各大半导体厂商正在发力SiC MOSFET相关业务。近日，又有两家企业SiC MOSFET相关产品获得新进展。芯联集成车规级SiC MOSFET已量... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:45 | 分类功率

近日据报道，IDM创企易达通科技已推出多款氮化镓（GaN）功率IC，采用蓝宝石衬底及LED制程，获得全球三大LED集团青睐，其中2家已下单。执行长林仕国表示，GaN具有宽能隙、高电压驱动及耐高温特性，搭载蓝宝石衬底可制造各种功率元件，采用碳化硅（SiC）衬底则可制造射频元件。据... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:42 | 分类企业

12月12日，大连创锐光谱科技有限公司（下文简称“创锐光谱”）官微发文称，公司近日在碳化硅（SiC）衬底晶圆位错缺陷的无损光学检测技术方面取得突破性进展，并将同步推出SiC衬底晶圆位错无损检测专用设备:SIC-SUB-9900。据介绍，该设备基于瞬态激发和散射光谱原理，采用大面... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:41 | 分类企业

12月12日，江苏卓远半导体有限公司（下文简称“卓远半导体”）宣布，近日，公司获得东方国资旗下基金财务投资4000万元。据了解，卓远半导体自成立以来一直专注于宽禁带半导体晶体装备及其材料的研发生产与制造，主营业务有宽禁带半导体晶体生长装备、金刚石与碳化硅（SiC）晶体工艺及解决... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 11 日 17:48 | 分类企业

12月7日，半导体开发商BluGlass宣布，将以80万美元收购其商业合同制造合作伙伴GaNWorks Foundry。根据协议，BluGlass将从GaNWorks收购核心GaN晶圆加工设备和工艺，完成其硅谷激光工厂的垂直整合。其目的是进一步加快公司的发展战略，提高激光生产能... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 11 日 17:47 | 分类企业

12月9日，苏州中设集团承建的苏州长光华芯先进化合物半导体光电子平台新建项目举行奠基仪式。据介绍，苏州长光华芯先进化合物半导体光电子平台新建项目位于苏州科技城普陀山路北侧、漓江路东侧地块，预计2025年正式投入使用。作为省重点项目，该项目将打造先进化合物半导体光电子研发生产平台... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 11 日 17:41 | 分类功率

近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称中科重仪）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片生产线正式建成并投入使用。据介绍，目前GaN材料外延生长的主流方法是金属有机化学气相沉积法（MOCVD），由于针对功率型大尺寸GaN-on-Si材料... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 11 日 17:40 | 分类企业

12月8日上午，吉盛微（武汉）新材料科技有限公司（以下简称吉盛微）武汉碳化硅（SiC）制造基地启用仪式在武汉经开区综保区工业园举行。资料显示，吉盛微成立于2023年3月，为盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司（以下简称盛吉盛半导体）在武汉投资成立，公司主要从事半导体及泛半导体设备用... [详内文]