安世半导体出售NWF晶圆厂，美国SiC厂商接盘

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 09 日 18:05 | 分类 企业 | edit

11月9日，美国半导体厂商Vishay Intertechnology已同意以1.77亿美元现金，从安世半导体（Nexperia）手中收购英国Newport Wafer Fab（NWF）晶圆制造工厂——一座占地28英亩的车规级8英寸晶圆加工厂。 从安世半导体收购NWF到出售，仅仅...  [详内文]

致能科技首发1200V D-Mode氮化镓器件平台

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 09 日 17:35 | 分类 企业 | edit

11月8日，广东致能科技有限公司首发1200V 耗尽型（D-Mode）高可靠性氮化镓（GaN）器件平台。在满足1200V系统可靠性条件下，本征击穿已经达到2400V，可用于工业、新能源、汽车等领域。 资料显示，致能科技成立于2018年12月，公司总部位于广州，在徐州、深圳、上海等...  [详内文]

全球首个100mm的金刚石晶圆面世

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 08 日 14:56 | 分类 企业 | edit

近日，总部位于加利福尼亚州旧金山的Diamond Foundry Inc宣布制造出了世界上第一块直径为100毫米的单晶金刚石晶圆。 该公司计划提供金刚石基板作为改善热性能的途径，这反过来又可以改善人工智能计算和无线通信以及更小的电力电子设备。 该公司使用一种称为异质外延的工艺来沉...  [详内文]

东部高科正式启动超高压功率半导体业务

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 08 日 14:53 | 分类 功率 | edit

近日，韩国8英寸晶圆代工厂东部高科（DB Hitek）宣布升级超高压（UHV）功率半导体工艺技术，正式进军超高压功率半导体业务。 资料显示，超高压功率半导体可广泛应用于家电、汽车、通信和工业等领域。相关人士表示，东部高科将以其具有竞争力的功率半导体技术为基础，向高附加值、高增长的...  [详内文]

11.9亿，大基金等助力士兰微SiC功率器件生产提速

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 08 日 14:50 | 分类 功率 | edit

天眼查显示，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（下文简称“士兰明镓”）近日发生工商变更，新增股东国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（下文简称“大基金二期”）、厦门海创发展基金合伙企业（有限合伙）（下文简称“海创发展基金”），注册资本从原先的约12.7亿人民币增至约24.6亿人...  [详内文]

电装5亿美元入股SiC晶圆制造企业

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 07 日 17:31 | 分类 企业 | edit

11月6日，株式会社电装（Denso）宣布对Coherent的子公司SiC衬底制造商Silicon Carbide LLC注资5亿美元，入股后，电装将获得该公司12.5%的股权。电装本次投资将确保6英寸和8英寸SiC衬底的长期稳定采购。 关于本次投资，市场方面早有相关消息传出。今...  [详内文]

总投资14亿，汉天下射频项目明年Q2竣工

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 07 日 17:29 | 分类 射频 | edit

据“南太湖发布”公众号消息，位于南太湖新区半导体产业园的汉天下射频芯片项目正处于施工阶段，目前辅楼已经结顶，预计年底厂房结顶，明年二季度竣工验收。 据了解，该项目总投资14亿元，占地49亩，建成后将形成2.64亿套移动终端及车规级射频模块的年产能，预计可实现年销售额20亿元。 ...  [详内文]

罗姆宣布明年在日本生产8英寸SiC衬底

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 07 日 17:28 | 分类 功率 | edit

罗姆半导体（Rohm）株式会社社长松本功近日在2023年11月财报电话会议上宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底，主要供该公司内部使用，预计将于2024年开始投产。这将是罗姆首次在日本生产SiC衬底。 据悉，宫崎第二工厂规划项目是罗姆近几年产能扩张计划的一部分...  [详内文]

纳微半导体再度打入三星供应链

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 06 日 13:50 | 分类 企业 | edit

纳微半导体近日宣布再度进入三星供应链：纳微GaNFast GaN功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用。作为下一代功率半导体技术，GaN正持续取代传统Si功率芯片在移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车的市场份额。 据介绍，为支撑强大的性能，Galaxy S23配备一...  [详内文]

宏微科技：SiC MOS已出样，成品预计明年交付

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 06 日 13:47 | 分类 企业 | edit

宏微科技近日在接受结构调研时称，公司生产的SiC二极管已在客户端开展验证工作，SiC MOS实现样品产出，预计于2024年第一季度将成品交付客户使用。 此外，在被问及液冷充电桩项目时，宏微科技表示：液冷充电桩需应用SiC器件产品，目前公司的SiC器件产品正在开发阶段，预计2024...  [详内文]