通用智能交付8英寸SiC晶锭激光剥离产线

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 18 日 17:45 | 分类企业

12月16日，河南通用智能装备有限公司（以下简称通用智能）自主研发的8英寸碳化硅（SiC）晶锭剥离产线正式交付客户。据通用智能介绍，由于SiC高硬度、高脆性特点，在SiC器件制造领域存在一个难点——晶锭分割工艺过程。目前，SiC晶锭主要通过砂浆线/金刚石线切割，效率低且损耗高。... [详内文]

8英寸SiC领域又一强强联合！

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 12 月 18 日 17:32 | 分类碳化硅SiC

据报道，近日，新加坡科学技术研究局 (A * STAR) 下属研究机构微电子研究所 (IME) 与德国扩散及退火设备供应商centrotherm International AG就8英寸SiC技术达成合作，IME的8英寸开放式R&D SiC试产线将与centrotherm... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 18 日 16:34 | 分类功率

近日，湖北省人民政府印发《湖北省新材料产业高质量发展三年行动方案（2023—2025年）》（以下简称“《行动方案》”）。《行动方案》提出发展目标，到2025年，湖北全省新材料重点企业产值超6000亿元，其中产值过1000亿元企业超过1家、过500亿元企业超过2家、过100亿元企... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 15 日 20:36 | 分类功率

12月14日，全球领先的车用技术企业采埃孚，宣布其电机产量已突破300万台大关。采埃孚称，电机量产超过300万台显示出市场对纯燃油发动机的依赖不断减少，标志着整个行业朝着电动化出行的成功转型。值得一提的是，采埃孚此前推出采用碳化硅（SiC）技术的EVSys800电驱动系统，展... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 15 日 17:49 | 分类射频

据报道，近日，CEA Tech下属研究所Leti已开发出一种与CMOS无尘室兼容的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）工艺技术，既能保持半导体材料的高性能，成本又低于现有的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）技术。该研究所在IEDM 2023会议的一场演讲中表示，目前用于电... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 14 日 17:46 | 分类企业

因搭载高压平台的电动汽车在补能、续航等方面的表现出色，可以大幅提高客户的使用体验，大有成为主流之势。而SiC MOSFET在高压车载领域的良好表现，受到市场的追捧，新规格SiC MOSFET和其衍生品也在不断出新。就SiC MOSFET领域来看，又有两家企业有了新动态。 Powe... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 14 日 17:45 | 分类企业

近日，碳化硅（SiC）产业资本市场风云再起，SiC衬底供应商江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）和SiC原材料厂商湖南东映碳材料科技股份有限公司（以下简称东映碳材）分别完成数亿元新一轮融资。超芯星完成数亿元C轮融资今日（12月14日），超芯星宣布完成数亿元C轮融资，本轮... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 14 日 17:45 | 分类企业

12月13日，中电科半导体材料有限公司（下文简称“中电材料”）官微发文称，近日，中电材料下属国盛电子大尺寸硅外延材料产业化项目第一枚碳化硅（SiC）外延产品诞生，标志着中电材料SiC产业化建设迎来了新阶段。国盛电子表示，首枚SiC外延产品诞生，预示着后续新品全尺寸检测评估，向客... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 13 日 17:45 | 分类企业

12月10日上午，科友半导体承担的“8英寸碳化硅（SiC）衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目阶段验收评审会在哈尔滨市松北区召开。评审专家组认为，科友半导体圆满完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸SiC单晶生长的新技术和新工艺，建立了SiC衬底生产的工艺流程，... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 13 日 17:42 | 分类企业

12月11日，美国商务部宣布为BAE Systems提供约3500万美元（折合人民币约2.5亿元）的初始资金，用于对新罕布什尔州纳舒厄的微电子中心 (MEC) 进行现代化改造。 MEC是一家占地110000平方英尺、经美国防部 (DoD) 认证的芯片制造工厂，是美国境内唯一以国防... [详内文]