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斥资50亿！光谷打造化合物半导体企业总部园区
作者 |发布日期 2023 年 12 月 21 日 17:45 | 分类 企业
12月20日，武汉东湖高新区（以下简称光谷）宣布投资50亿元建设化合物半导体孵化加速及制造基地，选址九峰山实验室南面，计划明年开工，后年投用。作为总部园区，力争在3年内引育企业100家。 据悉，九峰山实验室是湖北十大实验室之一，已建成化合物半导体产业科研及中试平台。该总部园区将利...  [详内文]

晶盛机电实现8英寸衬底批量生产
作者 |发布日期 2023 年 12 月 21 日 17:35 | 分类 企业
12月21日，晶盛机电在回答投资者提问时表示，公司8英寸碳化硅（SiC）衬底片已实现批量生产，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。 据悉，晶盛机电自2017年开始SiC晶体生长设备和工艺研发，经过几年沉淀，今年已经迎来收获期。今年2月4日，晶盛机电成功发布6英寸双片式SiC外延设...  [详内文]

一汽大湾区研发院揭牌，聚焦SiC功率半导体等方向
作者 |发布日期 2023 年 12 月 20 日 17:45 | 分类 功率
12月18日，中国第一汽车集团有限公司大湾区研发院揭牌仪式在深圳国资国企产业创新中心举行。 据悉，本次揭牌的中国一汽大湾区研发院将聚焦新能源和智能汽车领域前瞻技术、先进材料、功率电子、芯片与车路协同示范五大方向，全力推进全固态激光雷达、平面栅碳化硅（SiC）功率半导体与先进陶瓷材...  [详内文]

时代电气取得高压SiC电机控制器专利
作者 |发布日期 2023 年 12 月 20 日 17:44 | 分类 企业
天眼查资料显示，12月12日，株洲中车时代电气股份有限公司（以下简称时代电气）公开一项“一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车”专利，申请公布号CN117220562A，申请日期为2023年8月30日。 该专利摘要显示，本发明公开了一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车，...  [详内文]

聚焦SiC单晶衬底，世纪金芯和湖南S公司达成战略合作
作者 |发布日期 2023 年 12 月 20 日 17:42 | 分类 企业
近日，合肥世纪金芯半导体有限公司（以下简称世纪金芯）与湖南S公司正式签订战略合作协议。根据协议，双方将围绕碳化硅（SiC）单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作，年合作不低于5万片，交易金额超过2亿元。 资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，致力于第三代半导体SiC功能材料研发...  [详内文]

美国射频芯片巨头Qorvo出售中国工厂，立讯接盘
作者 |发布日期 2023 年 12 月 19 日 14:14 | 分类 射频
昨日（12/18），美国射频芯片大厂Qorvo宣布拟将其位于中国北京和德州的组装和测试工厂出售给代工厂立讯精密，目前双方已就此达成最终协议，交易预计2024年上半年完成，最终取决于监管机构的批准，以及满足或免除其他完成条件。 Qorvo x 立讯精密：两项交易 根据本次协议，立讯...  [详内文]

晶盛机电：SiC生长设备自研自用，外延设备外销
作者 |发布日期 2023 年 12 月 19 日 13:43 | 分类 企业
12月19日，晶盛机电在投资者互动平台表示，公司碳化硅（SiC）生长设备为自研自用，对外销售SiC外延设备。SiC衬底及外延片利润情况受其市场价格、综合成本等因素影响，随着公司长晶及加工技术、成本控制的不断优化，预期未来利润将因此受益。 source:晶盛机电 在SiC设备方面...  [详内文]

总投资约15亿元，汉轩车规级SiC功率器件制造项目开工
作者 |发布日期 2023 年 12 月 19 日 13:40 | 分类 功率
据徐州高新发布消息，汉轩车规级功率器件制造项目开工建设。 汉轩车规级功率器件制造项目总投资约15亿元，占地面积68.8亩，总建筑面积约8万平米，洁净室面积1.4万平米，满足6到8英寸晶圆生产需求，是一座专注于车规级功率器件的晶圆代工厂。 图片来源：拍信网正版图库 该项目规划 V...  [详内文]

总投资近10亿，绍兴新增SiC项目
作者 |发布日期 2023 年 12 月 18 日 17:46 | 分类 功率
近日，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司（以下简称中芯绍兴）公布了“碳化硅（SiC）MOS芯片制造一期项目”环评表。据悉，该项目位于绍兴市越城区，总投资9.61亿元，主要从事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 具体来看，该项目实施主体为中芯绍兴控股子公司中芯越州集成电路制造（绍兴）...  [详内文]