天眼查资料显示,1月12日,宏微科技公开一项“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”专利,申请公布号为CN117393605A,申请日期为2023年11月7日。
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该专利摘要显示,本发明提供一种SiC功率MOSFET器件及其制作方法,其中所述SiC功率...  [详内文]
宏微科技公开SiC功率MOSFET器件专利 |
作者 chen, zac|发布日期 2024 年 01 月 15 日 18:05 | 分类 企业 |