最新文章

SiC衬底持续突破“天花板”,全球8英寸晶圆厂将达11座

作者 |发布日期 2024 年 02 月 28 日 9:35 | 分类 产业
近年来,随着碳化硅(SiC)市场需求持续水涨船高,终端对于SiC降本的诉求也在不断增强,因为最终的产品价格始终是决定消费端买单的关键。而SiC衬底成本在整个成本结构中占比最高,可达50%左右,这就意味着衬底环节的降本增效尤为重要,也因此,大尺寸衬底由于成本优势比较明显,逐渐被寄予...  [详内文]

设备企业邑文科技进入辅导期

作者 |发布日期 2024 年 02 月 28 日 9:27 | 分类 企业
1月29日,根据中国证监会官网信息,无锡邑文微电子科技股份有限公司(以下简称:邑文科技)完成辅导备案,这标记着该企业正式进入辅导期。 根据辅导备案报告,邑文科技于1月24日与海通证券签署辅导协议。根据公司官网内容,邑文科技成立于2011年,主营业务为半导体前道工艺设备的研发、制...  [详内文]

1亿元,谱析光晶SiC芯片项目签约浙江瓜沥

作者 |发布日期 2024 年 02 月 27 日 18:00 | 分类 企业
2月24日,浙江省杭州市萧山区瓜沥镇举行推进新型工业化暨项目开工签约大会,会上集中签约开工的18个项目总投资超20亿元,涉及半导体芯片、集成电路设计与组件等领域。 其中新签约项目包含谱析光晶投资的年产10万台第三代半导体芯片与系统生产基地项目,该项目计划总投资1亿元。 图片来源...  [详内文]

24万片,普兴电子6英寸SiC外延片项目启动

作者 |发布日期 2024 年 02 月 26 日 18:30 | 分类 企业
2月26日,河北普兴电子科技股份有限公司(以下简称普兴电子)官网信息显示,公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目”进行了第一次环境影响评价信息公示(以下简称公告)。 图片来源:拍信网正版图库 公告显示,本项目总投资35070.16万元,利用公司1#厂房进行改扩建,建筑面积...  [详内文]

天岳先进:2023年营收增长199.90%

作者 |发布日期 2024 年 02 月 26 日 17:20 | 分类 企业
2月25日,天岳先进发布2023年度业绩快报称,公司在2023年实现营业收入125,069.57万元,同比增长199.90%。 而这一业绩,离不开天岳先进对市场的布局。 碳化硅衬底主要分为半绝缘型和导电型,两者在应用领域上并不相同:半绝缘型衬底主要应用于5G、无线电探测等领域;...  [详内文]

扩大SiC晶圆生产,SK Siltron CSS获得39亿元贷款

作者 |发布日期 2024 年 02 月 23 日 17:51 | 分类 企业
2月22日,美国能源部(DOE)贷款项目办公室(LPO)宣布向SK Siltron CSS, LLC承诺有条件地提供5.44亿美元(折合人民币约为39亿元)贷款,用于扩大生产美国电动汽车(EV)电力电子设备所需的高品质碳化硅(SiC)晶圆。 公开资料显示,SK Siltron C...  [详内文]

Qualtec计划2027年大规模生产新一代化合物半导体

作者 |发布日期 2024 年 02 月 23 日 17:50 | 分类 企业
2月20日,据日刊工业新闻报道,电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。 source:Qualtec 据了解,GeO2被认为是下一代功率半导体,并且是使用即将普及的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的下一代化合物...  [详内文]

斥资21亿新台币,日月光拟收购英飞凌两座封测厂

作者 |发布日期 2024 年 02 月 23 日 17:19 | 分类 产业
英飞凌和日月光投控于2月22日下午同步公告称,英飞凌将出售菲律宾甲米地省(Cavite)及韩国天安市(Cheonan)两座后段封测厂给日月光投控。据悉,日月光投控将为此项交易投资约21亿元新台币,交易最快将于今年第2季底度末完成。 交易完成后,日月光将与现有两座后段封测厂的员工...  [详内文]

SiC芯片厂商芯长征拟A股IPO

作者 |发布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分类 企业
近日,证监会披露了关于江苏芯长征微电子集团股份有限公司(以下简称芯长征)首次公开发行股票并上市辅导备案报告(以下简称报告)。 报告显示,中金公司已受聘担任芯长征首次公开发行股票并上市的辅导机构,并已于2024年1月22日签订《辅导协议》。 图片来源:拍信网正版图库 芯长征业务布...  [详内文]

晶圆级立方SiC单晶生长取得突破

作者 |发布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分类 功率
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3...  [详内文]