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PI、南瑞半导体透露SiC MOS项目新进展
作者 |发布日期 2023 年 12 月 14 日 17:46 | 分类 企业
因搭载高压平台的电动汽车在补能、续航等方面的表现出色，可以大幅提高客户的使用体验，大有成为主流之势。而SiC MOSFET在高压车载领域的良好表现，受到市场的追捧，新规格SiC MOSFET和其衍生品也在不断出新。就SiC MOSFET领域来看，又有两家企业有了新动态。 Powe...  [详内文]

SiC材料厂超芯星、东映碳材完成新一轮融资
作者 |发布日期 2023 年 12 月 14 日 17:45 | 分类 企业
近日，碳化硅（SiC）产业资本市场风云再起，SiC衬底供应商江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）和SiC原材料厂商湖南东映碳材料科技股份有限公司（以下简称东映碳材）分别完成数亿元新一轮融资。 超芯星完成数亿元C轮融资 今日（12月14日），超芯星宣布完成数亿元C轮融资，本轮...  [详内文]

中电材料子公司第一枚SiC外延片正式下线
作者 |发布日期 2023 年 12 月 14 日 17:45 | 分类 企业
12月13日，中电科半导体材料有限公司（下文简称“中电材料”）官微发文称，近日，中电材料下属国盛电子大尺寸硅外延材料产业化项目第一枚碳化硅（SiC）外延产品诞生，标志着中电材料SiC产业化建设迎来了新阶段。 国盛电子表示，首枚SiC外延产品诞生，预示着后续新品全尺寸检测评估，向客...  [详内文]

科友半导体8英寸SiC衬底项目通过中期验收
作者 |发布日期 2023 年 12 月 13 日 17:45 | 分类 企业
12月10日上午，科友半导体承担的“8英寸碳化硅（SiC）衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目阶段验收评审会在哈尔滨市松北区召开。评审专家组认为，科友半导体圆满完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸SiC单晶生长的新技术和新工艺，建立了SiC衬底生产的工艺流程，...  [详内文]

晶圆代工厂BAE Systems获得3500万美元资助
作者 |发布日期 2023 年 12 月 13 日 17:42 | 分类 企业
12月11日，美国商务部宣布为BAE Systems提供约3500万美元（折合人民币约2.5亿元）的初始资金，用于对新罕布什尔州纳舒厄的微电子中心 (MEC) 进行现代化改造。 MEC是一家占地110000平方英尺、经美国防部 (DoD) 认证的芯片制造工厂，是美国境内唯一以国防...  [详内文]

英特尔展示GaN新技术
作者 |发布日期 2023 年 12 月 13 日 17:41 | 分类 企业
在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。 具有集成驱动器的 GaN 器件由 Cambridge GaN Devices、EPC 和 Navitas 以及英飞凌领导的欧洲重大研究项目开发。 Comp...  [详内文]

芯联集成、中瓷电子SiC MOSFET取得新进展
作者 |发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:46 | 分类 企业
由于SiC MOSFET相对于传统的Si MOSFET有很多优势，因此被广泛应用于电动汽车、光储充、轨道交通等领域，发展潜力较大，各大半导体厂商正在发力SiC MOSFET相关业务。近日，又有两家企业SiC MOSFET相关产品获得新进展。 芯联集成车规级SiC MOSFET已量...  [详内文]

易达通GaN功率元件能源转换效率已超92%
作者 |发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:45 | 分类 功率
近日据报道，IDM创企易达通科技已推出多款氮化镓（GaN）功率IC，采用蓝宝石衬底及LED制程，获得全球三大LED集团青睐，其中2家已下单。执行长林仕国表示，GaN具有宽能隙、高电压驱动及耐高温特性，搭载蓝宝石衬底可制造各种功率元件，采用碳化硅（SiC）衬底则可制造射频元件。 据...  [详内文]

采用AI、识别率达90%，创锐光谱SiC设备公司获新突破
作者 |发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:42 | 分类 企业
12月12日，大连创锐光谱科技有限公司（下文简称“创锐光谱”）官微发文称，公司近日在碳化硅（SiC）衬底晶圆位错缺陷的无损光学检测技术方面取得突破性进展，并将同步推出SiC衬底晶圆位错无损检测专用设备:SIC-SUB-9900。 据介绍，该设备基于瞬态激发和散射光谱原理，采用大面...  [详内文]

国产SiC衬底公司卓远半导体又获4000万投资
作者 |发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:41 | 分类 企业
12月12日，江苏卓远半导体有限公司（下文简称“卓远半导体”）宣布，近日，公司获得东方国资旗下基金财务投资4000万元。 据了解，卓远半导体自成立以来一直专注于宽禁带半导体晶体装备及其材料的研发生产与制造，主营业务有宽禁带半导体晶体生长装备、金刚石与碳化硅（SiC）晶体工艺及解决...  [详内文]