最新文章

聚焦SiC单晶衬底，世纪金芯和湖南S公司达成战略合作
作者 |发布日期 2023 年 12 月 20 日 17:42 | 分类 企业
近日，合肥世纪金芯半导体有限公司（以下简称世纪金芯）与湖南S公司正式签订战略合作协议。根据协议，双方将围绕碳化硅（SiC）单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作，年合作不低于5万片，交易金额超过2亿元。 资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，致力于第三代半导体SiC功能材料研发...  [详内文]

美国射频芯片巨头Qorvo出售中国工厂，立讯接盘
作者 |发布日期 2023 年 12 月 19 日 14:14 | 分类 射频
昨日（12/18），美国射频芯片大厂Qorvo宣布拟将其位于中国北京和德州的组装和测试工厂出售给代工厂立讯精密，目前双方已就此达成最终协议，交易预计2024年上半年完成，最终取决于监管机构的批准，以及满足或免除其他完成条件。 Qorvo x 立讯精密：两项交易 根据本次协议，立讯...  [详内文]

晶盛机电：SiC生长设备自研自用，外延设备外销
作者 |发布日期 2023 年 12 月 19 日 13:43 | 分类 企业
12月19日，晶盛机电在投资者互动平台表示，公司碳化硅（SiC）生长设备为自研自用，对外销售SiC外延设备。SiC衬底及外延片利润情况受其市场价格、综合成本等因素影响，随着公司长晶及加工技术、成本控制的不断优化，预期未来利润将因此受益。 source:晶盛机电 在SiC设备方面...  [详内文]

总投资约15亿元，汉轩车规级SiC功率器件制造项目开工
作者 |发布日期 2023 年 12 月 19 日 13:40 | 分类 功率
据徐州高新发布消息，汉轩车规级功率器件制造项目开工建设。 汉轩车规级功率器件制造项目总投资约15亿元，占地面积68.8亩，总建筑面积约8万平米，洁净室面积1.4万平米，满足6到8英寸晶圆生产需求，是一座专注于车规级功率器件的晶圆代工厂。 图片来源：拍信网正版图库 该项目规划 V...  [详内文]

总投资近10亿，绍兴新增SiC项目
作者 |发布日期 2023 年 12 月 18 日 17:46 | 分类 功率
近日，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司（以下简称中芯绍兴）公布了“碳化硅（SiC）MOS芯片制造一期项目”环评表。据悉，该项目位于绍兴市越城区，总投资9.61亿元，主要从事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 具体来看，该项目实施主体为中芯绍兴控股子公司中芯越州集成电路制造（绍兴）...  [详内文]

通用智能交付8英寸SiC晶锭激光剥离产线
作者 |发布日期 2023 年 12 月 18 日 17:45 | 分类 企业
12月16日，河南通用智能装备有限公司（以下简称通用智能）自主研发的8英寸碳化硅（SiC）晶锭剥离产线正式交付客户。 据通用智能介绍，由于SiC高硬度、高脆性特点，在SiC器件制造领域存在一个难点——晶锭分割工艺过程。目前，SiC晶锭主要通过砂浆线/金刚石线切割，效率低且损耗高。...  [详内文]

8英寸SiC领域又一强强联合！
作者 |发布日期 2023 年 12 月 18 日 17:32 | 分类 碳化硅SiC
据报道，近日，新加坡科学技术研究局 (A * STAR) 下属研究机构微电子研究所 (IME) 与德国扩散及退火设备供应商centrotherm International AG就8英寸SiC技术达成合作，IME的8英寸开放式R&D SiC试产线将与centrotherm...  [详内文]

湖北将建设全国化合物半导体研发生产基地
作者 |发布日期 2023 年 12 月 18 日 16:34 | 分类 功率
近日，湖北省人民政府印发《湖北省新材料产业高质量发展三年行动方案（2023—2025年）》（以下简称“《行动方案》”）。 《行动方案》提出发展目标，到2025年，湖北全省新材料重点企业产值超6000亿元，其中产值过1000亿元企业超过1家、过500亿元企业超过2家、过100亿元企...  [详内文]

SiC开启800V新时代，政企双端发力
作者 |发布日期 2023 年 12 月 15 日 20:36 | 分类 功率
12月14日，全球领先的车用技术企业采埃孚，宣布其电机产量已突破300万台大关。 采埃孚称，电机量产超过300万台显示出市场对纯燃油发动机的依赖不断减少，标志着整个行业朝着电动化出行的成功转型。 值得一提的是，采埃孚此前推出采用碳化硅（SiC）技术的EVSys800电驱动系统，展...  [详内文]

CEA-Leti开发兼容CMOS的8英寸GaN-on-Si射频工艺
作者 |发布日期 2023 年 12 月 15 日 17:49 | 分类 射频
据报道，近日，CEA Tech下属研究所Leti已开发出一种与CMOS无尘室兼容的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）工艺技术，既能保持半导体材料的高性能，成本又低于现有的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）技术。 该研究所在IEDM 2023会议的一场演讲中表示，目前用于电...  [详内文]