3月6日,东芝电子元件及存储装置株式会社(下文简称“东芝”)宣布,公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅(SiC)1700 V、漏极电流(DC)额定值为250 A的SiC MOSFET模块“MG250V2YMS3”,并扩大了产品阵容。
source:东芝
据介绍,新产品M...  [详内文]
东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块 |
作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 03 月 11 日 11:01 | 分类 企业 |