近日,重庆三安半导体碳化硅(SiC)衬底项目B1栋顺利封顶。此项目总体分为两个项目标段,总面积约5.8万㎡,项目于2023年11月15日正式进场施工。
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其中,重庆三安半导体SiC衬底项目(生活服务设施区)总建筑面积为2.08万㎡,包括B1、B2栋、B3...  [详内文]
重庆三安半导体SiC衬底项目B1栋封顶 |
作者 chen, zac|发布日期 2024 年 02 月 02 日 18:00 | 分类 企业 |