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SiC、GaN厂商冲刺IPO,谁将率先上岸?

作者 |发布日期 2024 年 05 月 14 日 13:56 | 分类 产业
IPO是企业获得融资、提升品牌知名度的重要手段之一,在尚未正式登陆资本市场之前,企业IPO相关进展,都有可能收割一波流量,成为业界关注的焦点,进而扩大企业在市场中的影响力。 对于当前十分火热的SiC产业而言,除了大手笔扩产、大规模融资、重量级合作等动作外,厂商IPO也能够一石激起...  [详内文]

聚焦碳化硅,罗姆与东芝联手深化功率半导体业务合作

作者 |发布日期 2024 年 05 月 13 日 18:28 | 分类 企业
据外媒报道,在罗姆近日召开的财务业绩发布会上,公司总裁Isao Matsumoto(松本功)宣布,将于今年6月开始与东芝在半导体业务方面进行业务谈判,预计谈判将持续一年左右。两家公司旨在加强旗下半导体业务全方面合作,涵盖技术开发、生产、销售、采购和物流等领域。 松本功表示:“东芝...  [详内文]

扬杰科技、新洁能取得SiC、GaN相关专利

作者 |发布日期 2024 年 05 月 13 日 18:00 | 分类 企业
近日,扬杰科技和新洁能2家第三代半导体相关厂商分别取得SiC、GaN相关专利。 图片来源:拍信网正版图库 扬杰科技取得GaN MOSFET专利 天眼查资料显示,5月10日,扬杰科技取得一项“一种氮化镓MOSFET封装应力检测结构”专利,授权公告号CN110749389B,申请日...  [详内文]

国内最大碳化硅器件基地首栋建筑提前封顶

作者 |发布日期 2024 年 05 月 13 日 14:43 | 分类 企业
据报道,长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼日前提前封顶,这标志着该项目进入投产倒计时,预计于今年6月全面封顶,明年7月投产。 source:中国光谷 长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区,由长飞先进半导体(武汉)有限公司出资建设,总投资预计超过200亿元。 该项目主要聚焦于第三...  [详内文]

铟杰半导体宣布磷化铟材料涨价15%

作者 |发布日期 2024 年 05 月 11 日 18:10 | 分类 光电
昨日(5/10),陕西磷化铟材料厂商铟杰半导体公布调价通知,其磷化铟多晶产品将自5月31日起涨价15%。 对于此次调价的原因,铟杰半导体指出,原材料高纯铟价格自2024年1月开始持续上涨,涨幅超40%,同时,其余材料成本也都有所上升,在此背景下,公司决定调整产品价格。 据了解,...  [详内文]

搭载1200V SiC电控,比亚迪发布海狮07EV

作者 |发布日期 2024 年 05 月 11 日 18:00 | 分类 企业
5月10日,比亚迪发布全新一代e平台3.0 Evo及首搭车型海狮07EV。据悉,海狮07EV搭载的高效十二合一智能电驱系统,全系搭载1200V SiC电控,采用23000rpm转速电机,其极速可达225km/h以上。 图片来源:拍信网正版图库 在SiC模块方面,e平台3.0 E...  [详内文]

10亿,源芯微SiC芯片项目签约落地浙江湖州

作者 |发布日期 2024 年 05 月 11 日 18:00 | 分类 企业
5月9日,“南太湖发布”官微披露,浙江湖州南太湖新区管理委员会和安徽源芯微电子有限责任公司(以下简称源芯微电子)举行源芯微电子年产20亿只车规级芯片智造项目签约仪式。 source:南太湖发布 据悉,此次签约落地的年产20亿只车规级芯片智造基地和SiC车规级芯片研究院项目总投资...  [详内文]

纳微半导体公布2024年Q1业绩

作者 |发布日期 2024 年 05 月 11 日 10:45 | 分类 企业
5月9日,纳微半导体发布2024年Q1财报。报告期内,纳微半导体总收入增长至2320万美元(折合人民币约1.68亿元),同比增长73%。 2024年第一季度的GAAP营业亏损为3160万美元(折合人民币约2.28亿元),与2023年同期的3550万美元(折合人民币约2.56亿元)...  [详内文]

4亿!新松半导体将引入战略投资

作者 |发布日期 2024 年 05 月 10 日 18:18 | 分类 产业
5月9日,沈阳新松机器人自动化股份有限公司(以下简称:新松机器人)发布公告称,公司全资子公司沈阳新松半导体设备有限公司(以下简称:新松半导体)以公开挂牌方式引入战略投资者实施增资扩股,多家战略投资者通过参与本次公开挂牌对新松半导体进行增资,合计出资40,000万元,取得新松半导体...  [详内文]

供货天岳先进,连科半导体发布8英寸SiC长晶炉

作者 |发布日期 2024 年 05 月 10 日 18:00 | 分类 企业
5月10日,连城数控官微消息显示,第二届第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会5月9日在江苏无锡举行。会上,连科半导体发布新一代8英寸SiC长晶炉,正式实现了大尺寸SiC衬底设备的全面供应。该设备具有结构设计紧凑、长晶工艺灵活、节约环保的特点。 source:连城数控 会上,连科...  [详内文]