乾照光电和武汉大学研究人员表示,他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率,可靠的基于GaN的垂直LED(VLED)。他们使用具有SiO 2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此外,通过KOH湿法刻蚀对VLED的发射表面进行表面纹理处理,提高光提取效率。
沉积的金属化方案会在潮湿...  [详内文]
乾照光电与武汉大学共同开发硅基高功率GaN LED |
作者 Wen, James|发布日期 2019 年 12 月 19 日 14:48 | 分类 产业 |