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稳懋半导体推出全新RF GaN技术

作者 |发布日期 2024 年 06 月 17 日 15:15 | 分类 企业
6月14日,纯化合物半导体代工厂稳懋半导体(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司扩大了其RF GaN技术组合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化镓(GaN)技术测试版NP12-0B平台。 据介绍,该平台的核心是0.12μm栅极RF GaN HEMT技术,...  [详内文]

立芯科技年产30亿件射频芯片封装项目正式开工

作者 |发布日期 2024 年 06 月 17 日 15:14 | 分类 射频
据平湖新埭官微消息,6月12日,立芯科技年产30亿件射频芯片封装项目在张江长三角科技城平湖园正式开工。 source:平湖新埭 据介绍,立芯科技年产30亿件射频芯片封装项目位于张江长三角科技城平湖园,建设用地约30亩,总投资2亿元人民币,总用地面积20012.9平方米,总建筑面...  [详内文]

比亚迪新建碳化硅工厂预计今年下半年投产

作者 |发布日期 2024 年 06 月 17 日 15:12 | 分类 企业
近日,比亚迪品牌及公关处总经理李云飞在中国汽车重庆论坛上表示,比亚迪新建碳化硅工厂将成为行业最大的工厂,该工厂将于今年下半年投产,产能规模是全球第一,是第二名的10倍。 据了解,今年下半年起,比亚迪20万左右的车型也将搭载应用碳化硅的智能化方案,从而实现智能驾驶等更大范围的搭载应...  [详内文]

华为系销售占比达36.08%,高裕电子启动北交所IPO

作者 |发布日期 2024 年 06 月 14 日 18:41 | 分类 产业
随着北交所IPO审核重启,多家新三板公司接连启动上市辅导进军北交所,其中就包括了杭州高裕电子科技股份有限公司(以下简称:高裕电子)。 根据高裕电子6月13日发布的公告,公司已于6月11日与民生证券签署了上市辅导协议,并在6月12日通过民生证券提交了向不特定合格投资者公开发行股票并...  [详内文]

英飞凌8英寸SiC晶圆厂一期工程完工

作者 |发布日期 2024 年 06 月 14 日 17:59 | 分类 企业
据外媒报道,近日,英飞凌完成了位于马来西亚居林的8英寸碳化硅(SiC)晶圆厂第一阶段建设。 source:英飞凌 英飞凌计划于今年8月正式启用居林Module 3厂区,并于2024年底开始生产SiC。据了解,该晶圆厂总投资为70亿欧元,其也是马来西亚政府1000亿美元计划的核心...  [详内文]

国创中心与长城汽车成立车规级芯片联合实验室

作者 |发布日期 2024 年 06 月 14 日 17:58 | 分类 企业
近日,国家新能源汽车技术创新中心(以下简称“国创中心”)与长城汽车股份有限公司(以下简称“长城汽车”)共同揭牌成立“车规级芯片联合实验室”,又一车规级芯片联合实验室落地北京经济技术开发区(北京亦庄)。 “此次联合实验室的成立,是国创中心与长城汽车在车规级芯片领域深化合作的重要标志...  [详内文]

电科材料GaN-on-Si外延片完成交付

作者 |发布日期 2024 年 06 月 14 日 17:55 | 分类 功率
第三代半导体氮化镓(GaN)材料具有禁带宽度大、电子饱和速度及电子迁移率高、击穿场强高等特性,在功率与射频领域有广阔的应用前景。硅基氮化镓在具备上述优点的同时兼顾了可低成本、大规模生产的优点,是第三代半导体发展的重要方向。 据中电材料官微消息,近日,电科材料下属国盛公司研发的硅基...  [详内文]

计划7倍扩产,英诺赛科开启港股IPO

作者 |发布日期 2024 年 06 月 13 日 19:14 | 分类 企业
6月12日晚间,英诺赛科向港交所递交上市申请,联席保荐人为中金公司、招银国际。 2023年营收增长335.2% 自2019年10月,OPPO Reno Ace首次将氮化镓技术应用于充电器以来,基于氮化镓材料而研制的功率器件,凭借更高的电流密度、迁移率以及优秀的耐热性、导电性和散热...  [详内文]

SiC功率模块厂商悉智科技完成近亿元融资

作者 |发布日期 2024 年 06 月 13 日 18:00 | 分类 企业
近日,车规级功率与电源模块厂商苏州悉智科技有限公司(以下简称悉智科技)完成近亿元天使++轮融资,投资方为上汽集团旗下私募股权投资平台尚颀资本和高瓴创投,融资资金将主要用于产品、技术开发和市场推广。 图片来源:拍信网正版图库 作为一家车规级功率与电源模块厂商,悉智科技于2022年...  [详内文]

汇成真空与武汉理工共同开发SiC晶圆外延单片机

作者 |发布日期 2024 年 06 月 13 日 18:00 | 分类 企业
6月11日,广东汇成真空科技股份有限公司(以下简称汇成真空)在投资者互动平台表示,其与武汉理工大学签订了《碳化硅晶圆外延单片机热、流场设计的技术开发合同书》,合作内容为双方共同参与SiC晶圆外延单片机系统中真空系统、温场、气路系统的设计。 图片来源:拍信网正版图库 官网资料显示...  [详内文]