据外媒报道,6月19日,韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Key Foundry(启方半导体)宣布,公司已确认650伏氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的特性,正加大开发力度,预计年内完成开发。
因GaN具有高速开关和低电阻特性,它被称为下一代功率半导体,比现有的硅(S...  [详内文]
启方半导体计划年内完成开发650V GaN HEMT |
作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 06 月 20 日 14:48 | 分类 企业 |