最新文章

慕尼黑上海电子展：26家三代半厂商精品荟萃
作者 |发布日期 2024 年 07 月 10 日 18:20 | 分类 展会
7月8日，为期三天的2024慕尼黑上海电子展于上海新国际博览中心盛大开幕。本届展会吸引了全球半导体行业TOP20的半壁江山以及国内外1600余家厂商同台竞技，展现电子行业前沿技术成果与应用方案。 据集邦化合物半导体观察，本届慕尼黑上海电子展汇聚了英飞凌、德州仪器、湖南三安半导体...  [详内文]

18台碳化硅整线湿法设备，创微微电子再次中标
作者 |发布日期 2024 年 07 月 10 日 14:07 | 分类 功率
7月9日，光伏设备大厂捷佳伟创宣布，继4月份半导体碳化硅整线湿法设备订单并完成合同签署后，近日公司子公司创微微电子（常州）有限公司（以下简称：创微微电子）再次斩获另一家半导体头部企业整线湿法设备订单，目前已完成合同签订工作。 据介绍，此次签订的合同标的位于该客户新产业园的碳化硅产...  [详内文]

上海新一代化合物半导体研制基地项目通过竣工验收
作者 |发布日期 2024 年 07 月 10 日 14:05 | 分类 功率
据中建八局消息，近日，公司承建的新一代化合物半导体研制基地项目已竣工，并通过了验收。 source：中建八局 项目位于上海临港新片区总建筑面积约5.8万平方米，总投资11.6亿元，由生产厂房及其配套设施等6个单体构成，着力打造国内领先、国际一流的红外探测器研发与生产基地。项目主...  [详内文]

EPC四项涉诉专利均已进入无效审查阶段，英诺赛科掌握主动权
作者 |发布日期 2024 年 07 月 10 日 14:03 | 分类 企业
近年来，第三代半导体技术，尤其是氮化镓（GaN）领域的快速发展，吸引了全球科技巨头的关注与竞争。在这场技术革命中，中国领军企业英诺赛科与美国知名企业宜普（EPC）之间的专利纠纷成为业界焦点。 对此，英诺赛科发表声明称，目前针对EPC的四项涉诉专利提起的IPR（Inter part...  [详内文]

天岳先进投资3亿元提升8英寸SiC衬底制备水平
作者 |发布日期 2024 年 07 月 09 日 18:00 | 分类 企业
7月8日晚间，天岳先进发布公告称，其拟以简易程序向特定对象发行股票，募集资金总额不超过3亿元（含本数），扣除相关发行费用后的募集资金净额将用于投资8英寸车规级SiC衬底制备技术提升项目。 source：天岳先进 定增预案显示，本次项目主要研发方向包括SiC生长热场仿真、SiC...  [详内文]

青禾晶元获超3亿元融资，加速键合技术产品扩产步伐
作者 |发布日期 2024 年 07 月 09 日 17:02 | 分类 企业
半导体异质集成技术企业北京青禾晶元半导体科技有限责任公司（下称“青禾晶元”或“公司”）宣布完成最新一轮融资，融资金额超3亿元。投资方包括深创投、远致星火、芯朋微，老股东正为资本、芯动能、天创资本继续加持。 图片来源：青禾晶元 该轮融资将被用于先进键合设备及键合衬底产线建设。青禾...  [详内文]

产能增加3倍，罗姆子公司扩产SiC衬底
作者 |发布日期 2024 年 07 月 08 日 18:00 | 分类 企业
7月5日，据外媒报道，罗姆子公司SiCrystal GmbH将在德国纽伦堡东北部现有厂址的正对面新建一座生产厂房。新厂房将增加6000平方米的生产面积，并将配备最先进的技术，进一步提升SiC衬底的产能。毗邻现有工厂将确保生产流程的紧密结合。到2027年，包括现有厂房在内，SiCr...  [详内文]

天岳先进、天域半导体等碳化硅大厂迎最新动态
作者 |发布日期 2024 年 07 月 08 日 13:54 | 分类 功率
今年以来，国内外碳化硅大厂动态交织，深刻体现行业从6英寸过渡到8英寸的加速步伐。 据外媒消息，意法半导体（ST）近日表示，将从明年第三季度开始将其碳化硅（SiC）功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。 中国某头部大厂生产负责人在近日接受全球半导体观察时表示，预计从2026年至2...  [详内文]

爱思强公布Q2初步业绩，碳化硅&氮化镓设备订单旺盛
作者 |发布日期 2024 年 07 月 05 日 18:21 | 分类 功率
昨日（7/4），德国半导体设备大厂AIXTRON爱思强公布2024年第二季度初步业绩成果。在SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）功率半导体市场的驱动下，爱思强设备订单报喜。 爱思强第二季SiC/GaN设备订单占比达87% 第二季度，爱思强实现订单总额1.76欧元（约合人民币13.8...  [详内文]