最新文章

超高压碳化硅大功率芯片项目签约
作者 |发布日期 2025 年 03 月 19 日 18:08 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
据普州大地消息，近期，四川普州大地城市产银科技发展有限公司与新加坡拓谱电子公司（Singapore TOPO electronic Pte, LTD）成功签署合作协议，标志着双方在半导体领域迈出了重要的合作步伐。 source：普州大地 根据协议，双方将共同成立一家专注于超高压...  [详内文]

扬杰科技、悉智科技碳化硅新动态
作者 |发布日期 2025 年 03 月 19 日 18:06 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期，小米Su7 Ultra新能源汽车引发业界广泛关注，据媒体披露，小米SU7 Ultra全车预计使用172颗SiC芯片，覆盖电驱系统、车载电源和空调压缩机控制器等核心部件。这种全域应用不仅强化了车辆的动力性能，还通过减小系统体积和重量，助力车身轻量化设计。 碳化硅（SiC）作为...  [详内文]

最新，安森美/比亚迪在碳化硅功率取得进展！
作者 |发布日期 2025 年 03 月 19 日 18:00 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，安森美和比亚迪相继推出了碳化硅技术/新品，引起市场诸多关注。 01 安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模块 3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。 s...  [详内文]

安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利
作者 |发布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分类 氮化镓GaN
近日，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基化合物半导体激光器”的专利。 专利摘要显示，本发明涉及半导体激光元件技术领域，具体公开了一种氮化镓基化合物半导体激光器。该氮化镓基化合物半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上...  [详内文]

​安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本
作者 |发布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分类 功率
近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7）IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而...  [详内文]

杭州第三代半导体相关项目迎新进展
作者 |发布日期 2025 年 03 月 18 日 17:04 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
杭州“临安发布”消息，爱矽科技园项目已完成40%的施工进度。计划今年年底，园区全部结顶竣工，争取明年5月投入使用。 该产业园于2024年5月开工，项目计划打造临安首个集芯片设计研发、先进封装封测、功率器件封装封测等多元功能于一体的集成电路产业园，占地118亩，建筑面积约20万平方...  [详内文]

180万片，斯达半导重庆车规级功率模块项目封顶
作者 |发布日期 2025 年 03 月 18 日 17:01 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
据西部重庆科学城最新消息，3月17日，斯达半导体重庆车规级模块生产基地正式封顶，标志着国内首条年产能达180万片的车规级IGBT与碳化硅（SiC）模块产线进入投产倒计时。 公开资料显示，这一项目由长安汽车旗下深蓝汽车与斯达半导体联合打造。斯达半导体与深蓝汽车的合作始于2023年，...  [详内文]

这家破产的GaN工厂，被全球三大公司竞购
作者 |发布日期 2025 年 03 月 18 日 16:59 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
近日，一场围绕氮化镓（GaN）技术的竞购战正在比利时奥德纳尔德市悄然上演。曾被誉为欧洲GaN技术先驱的BelGaN工厂，因资金链断裂于2024年8月申请破产，其440名员工的命运与价值1.3亿欧元的资产标的，成为全球半导体产业链争夺的焦点。 从辉煌到陨落，BelGaN花落谁家 B...  [详内文]

芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台
作者 |发布日期 2025 年 03 月 18 日 9:02 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
据长三角国际半导体博览会消息，近期，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。 该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，...  [详内文]