成本可降低10%，日本推碳化硅衬底新技术

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 07 月 01 日 14:20 | 分类功率

据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。据介绍，中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底... [详内文]

意法半导体2025年碳化硅将全面升级为8英寸

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 07 月 01 日 14:17 | 分类企业

6月28日，据韩媒报道，意法半导体（ST）将从明年第三季度开始将其碳化硅（SiC）功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。该计划旨在提高产量和生产率，以具有竞争力的价格向市场供应SiC功率半导体。意法半导体功率分立与模拟产品部副总裁Francesco Muggeri近日接受记者... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 06 月 28 日 16:37 | 分类企业

6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。同时，硅（Si）二极管和晶体管的晶圆厂产能也将增加。这些投资是与汉堡经济... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 06 月 28 日 16:33 | 分类光电

6月27日，据和高资本官微消息，苏州识光芯科技术有限公司（以下简称识光）于近日完成Pre-A+轮融资，本轮投资方包括和高资本、星奇基金等，融资资金将主要用于产品推进和团队建设。官网资料显示，识光致力于为自动驾驶、机器人、XR等终端应用提供高性能、高可靠性和低成本的SPAD-So... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 06 月 28 日 12:57 | 分类展会

6月26日，为期三天的SEMI-e 2024第六届深圳国际半导体展在深圳国际会展中心开幕。本届展会特设三馆六大区，覆盖包括芯片设计、晶圆制造与封装、半导体专用设备与零部件、先进材料、第三代半导体/IGBT、汽车半导体为主的半导体产业链。集邦化合物半导体走访发现，本届SEMI-... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 06 月 27 日 17:55 | 分类射频

无论是前端射频器件还是垂直腔面发射激光器（VCSEL），二者都与GaN、GaAs、InP等化合物半导体材料有着千丝万缕的联系。近日，这两个领域各有一起融资案，融资金额最高达10亿。射频厂商星曜半导体完成10亿元融资 6月27日，国产TF-SAW射频滤波器企业浙江星曜半导体有限公... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 06 月 26 日 14:33 | 分类功率

长时间电网级储能将出现新的解方。美国密西根大学开发的热电池，其热能转换器效率达到44%，表现也优于常见的蒸汽涡轮机，其平均效率为35%。太阳能、风力发电成本虽然快速下跌，但是只有再生能源价格下降还不够，因为绿能为间歇性能源，日落或是没有风的时候，还是需要“电池“等储能系统辅助，... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 06 月 26 日 14:31 | 分类功率

6月24日，BAE Systems宣布和GlobalFoundries（格芯）建立了合作伙伴关系，以加强美国国家安全项目的关键半导体供应。根据该协议，两家公司将就增加美国半导体创新和制造的长期战略进行合作，双方共同目标是推进美国国内芯片制造和封装生态系统，主要针对航空航天和国防系... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 06 月 26 日 14:29 | 分类企业

第三代半导体功率器件主要以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能。其中，SiC功率器件应用领域广泛，新能源汽车已成为其主要应用市场之一。与硅基器件相比，SiC功率器件能更好地满足高压快充需求，助力新能源汽车延长续... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 06 月 26 日 14:05 | 分类功率

近日，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧正式开工。该项目总投资120亿元，建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，建成后将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。该项目分两期建设，其中，一期项目总投资70亿... [详内文]