全球首创！我国九峰山实验室在氮化镓材料新突破

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 24 日 14:17 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

据九峰山实验室3月22日消息，九峰山实验室的科研团队在全球首创性地实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备，这一成果不仅标志着我国在半导体材料领域的重大进步，更为未来诸多前沿技术的发展奠定了坚实基础。 1、技术突破：氮极性氮化镓材料的制备 ...  [详内文]

山西天成12英寸碳化硅长晶炉即将投放市场

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 24 日 14:10 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

近日，太原新闻报道，第一季度，山西天成已经收到了500万订单。目前，山西天成正冲刺首季订单交付“开门红”。 资料显示，山西天成业务聚焦碳化硅晶片的生产和长晶装备制造，具备完整的自主研发能力，从设备研制、粉料、籽晶、热场设计到衬底制备全链条自主可控。 2024年山西天成组合营收达到...  [详内文]

意法半导体与重庆邮电大学达成战略合作

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 21 日 14:47 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

近日，意法半导体（ST）与重庆邮电大学正式签署产学研战略合作协议，开启深度合作新篇章。 据悉，此次签约是落实2023年11月意法半导体与重庆高新区《人才培养与联合创新国际合作备忘录》的重要举措，旨在服务重庆“33618”现代制造业集群建设战略，助力智能网联新能源汽车产业高质量发展...  [详内文]

注册资本20亿，度亘核芯上海成立新公司！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 21 日 14:45 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

近日，度亘核芯光电技术（苏州）股份有限公司（以下简称“度亘核芯”）在上海成立新公司——度亘核芯光电技术（上海）有限公司，注册资本高达20亿元人民币。 据悉，新公司专注光通信设备制造、集成电路芯片及产品制造、光电子器件制造、半导体分立器件制造、电子元器件制造、电子专用材料制造和研发...  [详内文]

三家企业联合，攻关8英寸外延片功率器件工艺

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 21 日 14:42 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

据深圳国资消息，3月18日，重投天科与鹏进高科、尚阳通科技正式签署合作协议，共同聚焦于8英寸外延片功率器件工艺的联合攻关。这一合作标志着国内半导体企业在关键材料技术领域的深度协同，旨在突破高端功率器件制造中的关键技术瓶颈。 source：深重投集团 8英寸外延片是半导体制造中的...  [详内文]

2025CSE注册双重好礼，抽现金红包＆观展证免费邮寄

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 21 日 10:37 | 分类 展会 | edit

2025年4月23-25日，第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)将在武汉光谷科技会展中心盛大启幕。本届展会以“激活未来”为主题，围绕化合物半导体前沿技术、产业趋势及未来应用展开深度探讨。 🔈️🔈️🔈️ 即日起注册观展 参与抽奖赢取微信红包、京东E卡等好...  [详内文]

华润微旗下公司发力，氮化镓外延片项目将投产

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 20 日 16:06 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

海创集团官微消息，近日，润新微电子集团有限公司与大连海创集团有限公司下属建设发展公司正式达成战略合作，宣布入驻黄泥川智能制造产业园。 上述项目是第三代半导体氮化镓外延材料和电子元器件研发与产业化的重要基地总建筑面积6238.38平方米，同时配套有占地面积2966.6平方米的附属设...  [详内文]

功率半导体设备相关厂商科瑞尔完成新一轮融资

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 03 月 20 日 16:06 | 分类 企业 , 功率 | edit

近期媒体报道，科瑞尔科技宣布完成数千万元A+轮融资，资方为浙创投，资金将用于产品研发与运营资金补充。此前，该公司已经获得中车资本战略投资。 资料显示，科瑞尔科技成立于2014年，是业内同时具备IGBT模块自动化产线设计和单站核心设备研发能力的企业，主营产品已经获得国内大多数头部功...  [详内文]

安世半导体推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET

作者 florafeng|发布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，Nexperia（安世半导体）正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧...  [详内文]

意法半导体与重庆邮电大学战略合作

作者 florafeng|发布日期 2025 年 03 月 20 日 10:41 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，意法半导体与重庆邮电大学在重庆安意法半导体碳化硅晶圆厂通线仪式后的“碳化硅产业发展论坛”上正式签署产学研战略合作协议。 双方将在以下三方面展开产学研资源深度融合： 共建创新平台：意法半导体在智能功率技术、宽禁带带隙半导体、汽车芯片、边缘人工智能、传感以及数字和混合信号技术等...  [详内文]