近日,中镓半导体与北京大学、波兰国家高压实验室开展了合作,使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。
实验使用乙烯气源制备了半绝缘GaN衬底,并对制备得到的GaN材料进行了表征,证明了乙烯气源的掺杂效率比传统甲烷气源高40倍。在相同测试温度下比较了现有报道的半绝...  [详内文]
中镓半导体联合北京大学在GaN衬底研发领域获突破 |
作者 huang, Mia|发布日期 2022 年 12 月 06 日 14:51 | 分类 氮化镓GaN |