以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点,近年来被国内外相关企业持续关注和布局,相信这股热潮将会一路延续到2023年。
然而,在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时,学术界和科研界不约而同地展望下一代半...  [详内文]
氧化镓:10年后将直接与碳化硅竞争 |
作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 01 月 19 日 14:09 | 分类 氮化镓GaN |